L2N7002WT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	L2N7002WT1G
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内容描述：	小信号MOSFET 115毫安， 60 V的N沟道SOT- 323 [Small Signal MOSFET 115 mA, 60 V N-Channel SOT-323]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 273 K
品牌：	LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]

乐山无线电公司， LTD 。

L2N7002WT1G

典型电气特性

2.0

1.8

，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

DS ，

漏源极电压（伏）

= 25°C

= 10 V

9.0

，漏极电流（ AMPS ）

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 10 V

-55°C

125°C

25°C

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

GS ，

门源极电压（伏）

9.0

图1.欧姆区

图2.传输特性

DS （ ON），

静态漏源导通电阻

（归一化）

GS （TH ）

阈值电压（归一化）

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= 10 V

= 200毫安

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= V

= 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

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