MMBT5089LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5089LT1
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内容描述：	低噪声晶体管（ NPN硅） [Low Noise Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 209 K
品牌：	LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT5088LT1

PNP

MMBT5089LT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

符号

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

集电极 - 发射极饱和电压

=10mAdc,I

=1.0mAdc)

基射极饱和电压

=10mAdc,I

=1.0mAdc)

CE （ SAT ）

—

BE （ SAT ）

—

0.8

兆赫

—

MMBT5088

MMBT5089

噪声系数

=100µAdc,V

= 5.0VDC ，R

=10κΩ,f=1.0kHz)

MMBT5088

MMBT5089

—

3.0

2.0

350

450

1400

1800

—

4.0

—

0.5

VDC

300

400

350

450

300

400

900

1200

—

VDC

民

最大

单位

—

基本特征

直流电流增益

=100µAdc,V

=5.0Vdc)

=1.0mAdc,V

=5.0Vdc)

= 10mAdc ，V

=5.0Vdc)

小信号特性

电流增益 - 带宽积

= 500

μAdc ，V

=5.0Vdc,f=20MHz)

集电极 - 基极电容

=5.0Vdc,I

= 0 ， F = 1.0MHz的发射守卫）

发射极 - 基极电容

=0.5Vdc,I

= 0 ， F = 1.0MHz的收藏家守卫）

小信号电流增益

=1.0mAdc,V

=5.0Vdc,f=1.0kHz)

理想

晶体管

图1.Transistor噪声模型

M18–2/4

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