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MUN5113T1 参数 Datasheet PDF下载

MUN5113T1图片预览
型号: MUN5113T1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 201 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
MUN5111T1系列
电气特性 - MUN5113T1
VCE (SAT) ,集电极最大电压(伏)
1
I
C
/I
B
= 10
1000
的hFE , DC电流增益(标准化)
T
A
= 75°C
25°C
100
-25°C
T
A
= -25°C
0.1
75°C
25°C
0.01
0
10
20
30
40
10
1
I
C
,集电极电流(毫安)
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
图12. V
CE ( SAT )
与我
C
图13.直流电流增益
1
0.8
COB,电容(pF )
0.6
0.4
0.2
0
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
10
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
T
A
= 75°C
25°C
-25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向偏置电压(伏)
50
IC ,集电极电流(毫安)
0.001
3
4
5
6
7
V
in
,输入电压(伏)
8
9
10
图14.输出电容
图15.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
= -25°C
V在,输入电压(伏)
10
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
40
50
图16.输入电压与输出电流
MUN5111T1系列, 7月11日