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MUN5113T1 参数 Datasheet PDF下载

MUN5113T1图片预览
型号: MUN5113T1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 201 K
品牌: LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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乐山无线电公司, LTD 。
MUN5111T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
µA,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注4 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
E
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的MUN5130T1 / MUN5131T1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的MUN5115T1 / MUN5116T1 /
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0 kΩ)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5113T1
MUN5136T1
MUN5137T1
V
CE ( SAT )
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0 kΩ)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ,R
L
= 1.0 kΩ)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ,R
L
= 1.0 kΩ)
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 %
MUN5111T1系列 - 3月11日