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LY6125616
修订版2.4
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY6125616是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由16位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY6125616是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY6125616单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间： 10/15 /20 / 25ns的
低功耗：
工作电流：一百四十○分之二百一十五/ 110 / 100mA（最大）。
待机电流：
15毫安（最大为10ns的）
3毫安（最大为15/20 / 25ns的）
100μA （ （最大为15/20 / 25ns的LL版）
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 〜 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 〜 DQ15 ）
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY6125616
LY6125616(I)
LY6125616
LY6125616(E)
LY6125616(I)
LY6125616(LL)
LY6125616(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
VCC
范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
10ns
10ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机（我
SB1
)
工作（ ICC）
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
15mA(MAX.)
215mA(MAX.)
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
Lyontek公司
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