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LY6125616
修订版2.4
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 〜6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 〜70 （C级）
-20 〜80 （E级）
-40 〜85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该设备甚至超过上述业务部门所标明的任何其他条件，只有和功能操作的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
D
IN
高 - z
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
写
注意：
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
10
周期时间=最小。
15
平均开工
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
电源电流
20
其他在V
IL
或V
IH
25
10
待机功耗
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
15/20/25
I
SB1
电源电流
其他在0.2V / V
CC
-0.2V
15/20/25LL
分钟。
4.5
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
-
100
80
75
-
0.1
20
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
1
1
-
0.4
215
140
110
100
15
5
3*
6
100*
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
3.过冲/下冲规范的特点对工程评估阶段，不适合大规模生产的测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
6. 50μA的特殊要求
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4
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