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LY622568RL-55LLI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LY622568RL-55LLI
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内容描述: 256K ×8位低功耗CMOS SRAM [256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 293 K
品牌: LYONTEK [ Lyontek Inc. ]
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®
LY622568
修订版2.4
256K ×8位低功耗CMOS SRAM
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
V
IN
V
SS
输出漏
V
CC
V
OUT
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
- 45
CE# = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
CC
- 55
I
I / O
= 0毫安
- 70
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
电源电流
周期时间= 1μs的时间
CE# = 0.2V和CE2
V
CC
-0.2V,
I
CC1
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
- 0.2V
LL / LLE / LLI
*5
SL
CE#
V
CC
-0.2V
25℃
*5
SLE
待机功耗
或CE2
0.2V
I
SB1
*5
40℃
SLI
电源电流
其他人在0.2V或
V
CC
- 0.2V
SL
SLE / SLI
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
分钟。
4.5
2.4
- 0.2
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
50
40
30
4
3
2
2
3
3
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
80
60
50
10
50
5
5
20
25
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
µA
µA
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
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