LY622568RL-55LLI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LY622568RL-55LLI
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内容描述：	256K ×8位低功耗CMOS SRAM [256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	14 页 / 293 K
品牌：	LYONTEK [ Lyontek Inc. ]

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LY622568

修订版2.4

256K ×8位低功耗CMOS SRAM

时序波形

读周期1

（地址控制）（1,2）

地址

DOUT

以前的数据有效

数据有效

读周期2

（ CE ＃和CE2和OE ＃控制）（ 1,3,4,5 ）

地址

CE＃

ACE

CE2

OE ＃

OLZ

CLZ

DOUT

高-Z

OHZ

CHZ

数据有效

高-Z

注意事项：

1.我们＃为高的读周期。

2.Device不断选择OE ＃ =低， CE ＃ =低

CE2 =高

3.Address必须先于或重合的有效使用CE ＃ =低

CE2 =高;否则吨

是限制参数。

4.t

CLZ

, t

OLZ

, t

CHZ

和T

OHZ

用C指定

= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。

5.At任何给定的温度和电压条件下，叔

CHZ

小于吨

CLZ

, t

OHZ

小于吨

OLZ 。

5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。

电话： 886-3-6668838

传真： 886-3-6668836

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