电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 100 mA时）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 10 ADC）
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.0
0.1
4.0
3.0
0.9
7.0
5.0
1.5
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
450
400
75
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试（ SSB ）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250 mA）的
（ 30兆赫）
（ 150兆赫）
G
ps
η
—
—
—
15
6.0
40
—
—
—
dB
%
漏EF网络效率
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F = 30 ; 30.001兆赫，
I
D
（ MAX）= 6.5 A）
互调失真（ 1 ）
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F1 = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫，我
DQ
= 250 mA）的
负载不匹配
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F = 30 ; 30.001兆赫，
I
DQ
= 250毫安，电压驻波比30 ： 1 ，在所有相位角）
dB
IMD
(d3)
IMD
(d11)
ψ
在输出功率不降低
—
—
–30
–60
—
—
注意：
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音调。
+
BIAS
0-12 V-
+
28 V
-
RF
产量
L1
C11
R4
C5
C6
C7
C4
DUT
T2
C8
L2
C9
+
-
C10
R1
R3
C2
R2
RF输入
T1
C3
C12
C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1
µF
陶瓷贴片或
用的单片短信息
C3 - 阿科469
C4 - 820 pF的未包封云母或云母浸
短信息
C10 — 10
µF/100
V电解
C11 — 1
µF,
50 V ，钽
C12 - 330 pF的，蘸着云母（短引线）
L1 - VK200 / 4B铁氧体扼流圈或同等学历， 3.0
µH
L2 - 铁氧体磁珠（S ） ， 2.0
µH
R1, R2 — 51
Ω/1.0
W¯¯碳
R3 — 1.0
Ω/1.0
W¯¯碳或并行两个2
Ω,
1/2瓦的电阻
R 4 - 1千欧/ 1/ 2 W碳
T1 - 16 ： 1宽带变压器
T2 - 1:25宽带变压器
图1. 30 MHz的测试电路（ AB类）
第9版
2
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
