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MRF275L 参数 Datasheet PDF下载

MRF275L图片预览
型号: MRF275L
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内容描述: N沟道宽带射频功率场效应管 [N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET]
分类和应用: 晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小: 13 页 / 312 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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电气特性 - 续
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
栅极阈值电压( VDS = 10V , ID = 100 mA时)
漏源电压( VGS = 10V , ID = 5.0 A)
正向跨导( VDS = 10V , ID = 2.5 A)
VGS ( TH)
VDS (上)
政府飞行服务队
1.5
0.5
3.0
2.5
0.9
3.75
4.5
1.5
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容( VDS = 28 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
输出电容( VDS = 28 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
反向传输电容( VDS = 28 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
135
140
17
pF
pF
pF
功能特点
共源功率增益
( VDD = 28V直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫, IDQ = 100 mA时)
漏EF网络效率
( VDD = 28V直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫, IDQ = 100 mA时)
电气耐用
( VDD = 28V直流电,噘= 100 W, F = 500兆赫, IDQ = 100毫安,
驻波比10 : 1 ,在所有相位角)
全球定位系统
η
ψ
在输出功率不降低
7.5
50
8.8
55
dB
%
C12
+ VGG
C1
R1
R2
C2
C11
RFC2
C13
+28 V
RFC3
C14
+
C15
RFC1
C10
Z3
C3
Z1
C4
C5
C6
Z2
DUT
C7
C8
C9
Z4
RF
产量
RF
输入
C1, C11, C14
C2
C3, C10
C4, C6, C8, C9
C5
C7
C12, C13
C15
0.1
µF,
陶瓷电容器
240 pF的, ATC型芯片电容器
270 pF的, ATC型芯片电容器
1-20 pF的,微调电容器,约翰森
24 pF的,小Unelco型电容器
24 pF的,小Unelco型电容器
680 pF的,馈通电容
10
µF,
50 V ,电解电容
RFC1
RFC2 , RFC3
Z1,
Z2, Z3
Z4
板材料
8打开AWG # 18 , 0.25 “内径,漆包
Ferroxcube公司VK200 19 / 4B
0.250 “× 0.800 ” ,微带线
0.250 “× 0.400 ” ,微带线
0.250“ ×1.25 ” ,微带线
0.062 “铁氟龙玻璃
®
,
2盎司铜,双包层铜
板,
ε
r = 2.55
图1. 500 MHz的测试电路
REV2
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