应用说明
S2079
驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器
牧师V5
内置驱动器
一些M / A - COM的新型开关和衰减器
功能简化了使用控制CMOS （ 0 V ， 2.7 V ）或TTL
（0伏， 5伏）逻辑，而无需为阴性对照
电压。
附录本应用笔记列出了一些流行
M / A - COM交换机。在SW- 277 ， SW- 349 ， SW- 394 ，
和SW- 399包括电平移位部件
用正CMOS或TTL控制电压的兼容性，
但这些交换机仍然需要互补控制
逻辑。在SW- 335 ， SW65-0xxx系列及相关
交换机包含一个CMOS驱动器电路在同一
包，以及在GaAs开关元件，为
真正的单线控制。从M / A-未来许多交换机
COM可能会包含一些驱动电路和开关
一起在小的，低成本的塑料封装的元件。
对AT- 226 ， AT- 264和AT -242数字衰减器
具有内部电平转换以提供控制用
单CMOS输入线每个衰减位。该
AT65-0xxx系列微型数字衰减器模块
合并的CMOS驱动器电路，以实现此目的。
在设计的另一个考虑与交换机和
衰减器是消除串扰，可出现
从RF泄漏到控制线。
大多数主板
设计师打理这通过增加电容
地面上的控制线，调车的任何RF能量
地面上。在SW- 109和SWD- 119输出缓冲器可
驱动负载电容高达25 pF的。
其它电路，驱动程序
您可以使用TTL和CMOS逻辑IC的驱动砷化镓
FET开关和衰减器。一个理想的驱动程序将运行
从单电源电压，消耗电流很小，和
介绍很少切换延迟。
车手的技术，可以很好的浮动通道
在FET的开关MMIC在地面上的潜力
通过增加上拉电阻和直流阻断
和旁路电容。如图
图3中，
电路
需要的电压为0伏，适用于无论是控制端口，
并转移到-5 VDC在连接FET门打开
它们赶走。 +5 VDC电压偏移为0伏在
FET的门打开它们。
射频共
SWD- 109 & SWD- 119驱动器
M / A - COM的SWD- 109四通道SWD- 119
提供互补控制所需的电压
用于驱动砷化镓FET开关和数字衰减器
使用每比特的单个控制输入。无论是SWD- 109
和SWD -119集成的缓冲期，以使
驱动程序将与任何标准的TTL或CMOS开关
逻辑电平输入。该器件采用标准的CMOS
模拟制造技术的低功耗
消费。
该设备包括输入缓冲器，逆变器
产生互补的逻辑值，电压
翻译器，和输出缓冲器，各设计成允许
设计人员可以灵活地优化开关和衰减器
性能。
设计一个电路板与射频开关和衰减器，
考虑源极 - 漏极电阻的该调制
在FET的由RF输入可能导致输出压缩
和互调失真。虽然砷化镓场效应管
开关和衰减器将与标称0操作好
V和-5 V控制，谨慎选择，控制的
8 V < V - 在该范围内的电压
FETOFF
< - 5 V和0 V <
V
FETON
< 2 V可以提高最大RF电平（ P1dB的） 。
用适当选择的正和负电源
电压时， SWD- 109和SWD- 119既能提供
输出的控制电压在上述范围内。
RF1
Q2
C1
R1
+5 VDC
Q3
C4
Q1
Q4
RF2
C5
R2
+5V
C2
控制
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
控制
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
R3
+5V
C3
TTL控制
VCC
+5 VDC
GND
CD54HCT04
C6
控制的控制B
TTL低
TTL高
TTL高
TTL低
射频共
射频1
ON
关闭
射频共
射频2
关闭
ON
图3 ：砷化镓SPDT开关， CMOS驱动器
2
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