应用说明
S2079
驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器
牧师V5
M / A - COM的双重控制，负偏压开关和
衰减器具有内在的开关速度可低至5 〜
纳秒。电平转换的浮动缺点FET的
是，旁路和阻断的时间常数
电容器通过内部FET的栅极充电
电阻会引入一些延时切换。如图所示
在附录中，交换机结合了电平转换
片上通常有开关速度范围为
几十纳秒到微秒。
科幻gure 3
显示驱动的双控的GaAs FET开关
由德州仪器CD54HCT04高速
CMOS逻辑六反相器，一个CERDIP封装器件
可与CMOS逻辑输入电平操作（0V ，2.7
V）和驱动TTL负载。驾驶双控开关
阶段需要使用CD54HCT04的两个闸门， 1
以产生缓冲的输出，一个用于产生其
补充。在CD54HCT04每个门引入
开关20 ns的传播延迟。的直流电流
整个六角装置的消耗是在小于1mA
+5 VDC 。
当与CD54HCT04作为驱动设计，
选择隔直流电容C1 ，C4和C5中，对
给在最低的期望的最小插入损耗
工作频率。选择旁路电容C2
和C3 ，得到在最高期望的最大隔离
工作频率。旁路电容器C6 ，其具有
相同的值， C2和C3 ，分流器的任何RF信号
泄漏的DC偏置线在六反相接地。
使用低的串联电阻，高Q电容器，如
美国技术陶瓷ATC100A系列，为
尽可能低的插入损耗。
电阻器R1和R3的DC偏置连接到
开关应该在10至50范围内的值
千欧，保持射频串扰尽可能低。地方
的电阻器，电容器和接地过孔尽可能靠近
开关尽可能的身体，以减少电感
最佳的RF性能。
其他流行的逻辑IC的工作以及驱动程序，这取决于
根据您的要求的开关速度，直流电源
耗，和射频线性。其它进制转换器
与该工作良好，包括了CD54HCT04
SOIC或DIP塑料包装CD74HC04和
CD74HCT04 ，慢CD54HC04 ，而仙童
DM74LS04.
用5 VDC电源电压， DM74LS04提供
0.25 V（逻辑低）和3.4 V的输出电压的逻辑
（逻辑高电平） 。替代引脚兼容的DM74SL04
为CD54HCT04 ，你将不得不增加额外的上拉
振电路连接在所述驱动器和开关之间
提高逻辑高电平至5 VDC 。
这将导致慢的开关速度和较高的
电流消耗相比CD54HCT04 。
德州仪器（TI） SN54HC139 2 〜4行
解码器也工作得很好，一样的CD4041UB四核/
真正的补缓冲区。该CD4041UB提供四个
对互补输出，并可以提供一个范围
的逻辑输出电压取决于供给
您选择的电压。随着CD4041UB供应
8 VDC为逻辑高电平，很多的GaAs FET偏置
交换机将具有更高的P1dB功率电平进行操作，
也许通过5或6 dB的。
对于驾驶员切换速度小于10纳秒的
费用较高的电流消耗，可以考虑使用
在ECL驱动程序，如摩托罗拉MC10H350 ECL到
TTL转换，如图
图4中。
该电路能
直接驱动的开关，而无需电平转换
电容器和电阻器。
图4 ： MC10H350的驾驶双重控制
开关
结论
本应用笔记解释了如何控制
M / A - COM公司的GaAs FET开关和数字衰减器
利用M / A- COM提供的驱动程序，或者使用
市售数字逻辑集成电路。附录
总结了M / A - COM最流行的开关和
他们通过驱动要求进行分类。精心选
开关或数字衰减器和驱动器可以提供
最佳的射频线性，开关速度快，低功耗
消费和中小板占位面积。
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