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MV78100 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MV78100
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内容描述: 发现™系列的创新CPU系列硬件规格 [Discovery™ Innovation Series CPU Family Hardware Specifications]
分类和应用:
文件页数/大小: 124 页 / 1524 K
品牌: MARVELL [ MARVELL TECHNOLOGY GROUP LTD. ]
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销信息
引脚说明
2.2.3
表5:
DDR SDRAM接口引脚分配
DDR SDRAM接口引脚分配
I / O
P中泰P·E
P流ê ř
VDD_M
描述
引脚名称
M_CLKOUT [2 :0]的
M_CLKOUTn [2 :0]的
O
SSTL
三对DRAM的差分时钟。
当不使用的所有时钟对使用下列捆扎之一
配置和注册设置的未使用配对/ S:
•将未使用的对未连接。此外,对于
未使用的一对,设定<Clk1Drv>位[12]或<Clk2Drv>位[ 13]〜 1
(驱动正常) ,在DDR控制器控制(低) (偏移:
0x1404).
•将未使用的对拉了下来。此外,对于
未使用的一对,设定<Clk1Drv>位[12]或<Clk2Drv>位[ 13]〜 0
(高阻) 。
注意:
M_CLKOUT [ 0]和M_CLKOUTn [ 0 ]不能被禁用
并且总是被驱动。
M_CKE [3 :0]的
O
SSTL
VDD_M
由MV78100设备高,令DRAM时钟驱动。
设置在自刷新模式的DRAM时被驱动为低电平。
注意事项:
•所有4 CKE引脚被驱动起来(没有单独的自刷新
按每个DRAM银行) 。
•当不使用时可以悬空。
SDRAM行地址选择
置,以指示驱动的有源ROW地址
SDRAM的地址线。
SDRAM列地址选择
置,以指示驱动的有源列地址
SDRAM的地址线。
SDRAM写使能
认定,以表明一个写命令到SDRAM 。
SDRAM地址
期间RASN和CASN循环驱动以产生,连同
该行地址位的SDRAM的地址。
M_RASn和M_CASn期间推动了MV78100设备
周期来选择八个DRAM虚拟的银行之一。
注意:
如果SDRAM的设备不支持BA [ 2 ]引脚,将
在M_BA [2]悬空。
SDRAM芯片选择
断言选择一个特定的SDRAM的银行。
注意:
当不使用时可以悬空。
SDRAM数据总线
写入SDRAM时驱动。
推动了SDRAM中读取。
注意:
当被配置为32位模式时, M_DQ [ 63:32 ]可留
悬空。
M_RASn
O
SSTL
VDD_M
M_CASn
O
SSTL
VDD_M
M_WEn
O
SSTL
VDD_M
M_A [14: 0]
O
SSTL
VDD_M
M_BA [2 :0]的
O
SSTL
VDD_M
M_CSn [3 :0]的
O
SSTL
VDD_M
M_DQ [63 :0]的
T / S
I / O
SSTL
VDD_M
©2008 Marvell公司
2008年,初步12月6日,
文档分类:专有信息
MV- S104552 - U0 Rev. D的
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