DA6502.008
2012年11月29日
电气特性
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C， VDD = 2.0V至3.6V ，典型值牛逼
A
= 27
o
C，典型值VDD = 2.35 V ，R
传感器
= 4.5kΩ可以除非另有说明
参数
温度
测量电阻
符号
R
1
R
2
R
4
R
3
条件
民
-19%
典型值
13900
30600
30600
8900
9400
9900
10500
-180
最大
+19%
单位
Ω
Rsensor = 5 kΩ的
Rsensor = 4.5千欧
Rsensor = 4千欧
Rsensor = 3.4千欧
-19%
+19%
Ω
温度
对COEF网络cient
温度
测量电阻
EEPROM大小
EEPROM数据写
时间
EEPROM数据擦除
时间
EEPROM数据保留
TC
R
PPM / °
C
注： 1 。
注2 。
注3 。
TA = 85 °
C
TA = 125 °
C
10
256
16
8
24
1
位
ms
ms
岁月
注1： 8位出256位内部振荡器修剪保留。剩下的248位可以自由使用，用于存储
校准系数和其它数据。
注2.应至少每EEPROM写入后16ms的延时，因为EEPROM编程最多需要16毫秒。
注3.应至少每EEPROM擦除后， 8毫秒的延迟，因为EEPROM擦除可长达8毫秒。
数字输入
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C， VDD = 2.0V至3.6V ，典型值牛逼
A
= 27
o
C，典型值VDD = 2.35 V ，R
P
= 4.7kΩ
(I
2
C总线上拉），除非另有说明
参数
输入高电压
输入低电压
串行总线时钟
频率
XCLR复位脉冲
长
XCLR引脚上拉
当前
符号
V
IH
V
IL
f
SCL
t
xCLR
I
PULL -UP
条件
民
80%
VDD
0%
VDD
典型值
最大
100%
VDD
20%
VDD
400
单位
V
V
千赫
ns
XCLR低脉冲
XCLR=0V
200
-1
-8
-80
µA
数字输出
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C， VDD = 2.0V至3.6V ，典型值牛逼
A
= 27
o
C，典型值VDD = 2.35 V ，R
P
= 4.7kΩ
(I
2
C总线上拉），除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
信号的上升时间
（从10％到90％）
信号的下降时间
（从90％至10％）
符号
V
OH
V
OL
t
r
t
f
条件
I
来源
=0.6mA
I
SINK
=0.6mA
EOC引脚，C
L
=50pF
SDA引脚，C
B
=50pF
EOC引脚，C
L
=50pF
SDA引脚，C
B
=50pF
民
80%
VDD
0%
VDD
典型值
最大
100%
VDD
20%
VDD
单位
V
V
ns
ns
14
550
11
11
5 (20)
MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
