DA6502.008
2012年11月29日
寄存器和EEPROM数据地址
MAS6502包括32个字节（ 256位） EEPROM
数据存储器。在地址中的第一个字节的EEPROM
40
（十六进制）
仅供内部时钟振荡器
频率微调。剩下的31个字节（ 248
位）的内存地址41
（十六进制）
…5F
（十六进制）
都是免费的
表1.寄存器和EEPROM数据地址
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
A4
0
A4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
A3
0
A3
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
A2
0
A2
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
A1
0
A1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
A0
0
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
（十六进制）
(X=0)
00
01…1F
40
41…5F
30
37
38
39
3A
3B
3C
3D
3E
3F
存储
MAS6502
地址
请参阅表
地址。
传感器的校准和其它数据。
还包含10个8位寄存器。
复位寄存器触发装置复位。
1寄存器和EEPROM数据
描述
EEPROM ;擦除内部时钟振荡器
修剪，保留的！
EEPROM ;地址擦除数据[A4 ： A0 ]
EEPROM ;读或写内部的时钟
振荡器修剪，保留的！
EEPROM ;读取或写入的地址数据
[A4:A0]
复位寄存器;不包含任何数据，写
下一个复位任何伪数据
测试和修剪控制寄存器
振荡器频率控制寄存器
数据输入寄存器用于EEPROM
控制寄存器用于EEPROM
写和擦除启用EEPROM
状态寄存器EEPROM
MSB转换结果
LSB转换结果
ADC控制寄存器
记
E
E
E
E
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
X =无关， E = EEPROM ， R =注册
EEPROM地址01
（十六进制）
…1F
（十六进制）
用于
在而被寻址的字节擦除数据
EEPROM地址41
（十六进制）
…5F
（十六进制）
对
读取的字节寻址/写。如果写的
数据EEPROM地址或块时，
必要时写入之前自动删除
在这新的数据。应该有至少一个16毫秒
因为每个EEPROM EEPROM写操作之后延迟
程序最多可能需要16毫秒。对于EEPROM
擦除此延迟应至少为8ms 。
复位寄存器（ 30
（十六进制）
）不包含任何数据。
写入该寄存器势力的任何一个虚拟数据
复位。
复位初始化所有的控制寄存器
（地址37
（十六进制）
…3F
（十六进制）
）到零值。
测试和微调控制寄存器（ 37
（十六进制）
）是为测试
和修整的目的。
振荡器频率控制寄存器（ 38
（十六进制）
）是
仅在内部时钟振荡器微调使用。
在修剪该寄存器的值迭代找到
所需的振荡器频率。当正确的值
发现它可以被写入EEPROM内部
时钟振荡器微调寄存器（ 40
（十六进制）
） 。在正常
操作修整值被自动读
在启动过程中的EEPROM存储器。
注意：
没有必要对内部振荡器修整
因为这是晶片级测试过程中完成的。
EEPROM的数据输入寄存器（ 39
（十六进制）
）是自动
在所有的EEPROM数据传输使用。没有
需要手动解决该寄存器时除外
做一个“块写入”时，数据必须被写入到
给块写入之前的输入寄存器
命令。 EEPROM控制寄存器（ 3A
（十六进制）
）可以
像块擦除，块特殊的EEPROM功能
编写和测试模式。
EEPROM的写入和擦除使能寄存器
(3B
（十六进制）
）被用来保护校准存储器
防止意外的写入/擦除。复位（上电后
复位， XCLR ）该寄存器设置为％ 00000000
(00
（十六进制）
）和EEPROM存储器的擦除/写操作
禁用。 EEPROM的擦除/写入时才会启用
当该寄存器的值被设置为％ 01010101
(55
（十六进制）
） 。 EEPROM状态寄存器（ 3C
（十六进制）
）被用于
EEPROM纠错状态。
MSB和LSB转换结果寄存器
(3D
（十六进制）
和3E
（十六进制）
）上一次16位A / D
转换结果。该ADC控制寄存器（ 3F
（十六进制）
)
用于配置和启动A / D
转换。见ADC控制寄存器
详细信息。
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MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
