MCP795WXX/MCP795BXX
3.2
非易失性存储器写
顺序
倚重，一个网页的地址开头
XXXX 0000
和
结尾
XXXX X111.
如果内部地址计数器
到达
XXXX X111
和时钟信号继续是
施加在芯片上，该地址计数器将返回到
页的第一地址和覆盖任何数据
以前存在于这些地方。
为数据被实际写入到阵列中，CS
必须经过最少的显着位带来的高（ D0 ）
第n个数据字节已移入。如果CS驱动
高在其他任何时间，写操作将不会
完成。请参阅
和
了解更多
在字节写操作的详细说明，并
页写序，分别。虽然非
非易失性存储器的写入过程中，该稳压状态
存器可读取检查WIP状态， WEL ，
BP1和BP0位。试图读取存储器阵列
在写周期内的位置将是不可能的。轮询
状态寄存器中的WIP位推荐
为了确定一个写周期正在进行中。当
非易失性存储器的写周期完成时，该
写使能锁存器复位。
之前的任何企图将数据写入到非易失性
存储器（EEPROM ，唯一ID和状态寄存器）
在MCP795XXX ，写使能锁存器必须被设置
通过发出
EEWREN
指令（图
这是
通过设置CS为低电平，然后打卡了做
正确的指令到MCP795XXX 。毕竟8
该指令的比特传输， CS必须
驱动为高电平，设置写使能锁存器。如果写
后立即开始操作
EEWREN
指令而没有CS驱动为高电平，数据不会被令状
10到由于写阵列使能锁存器是不
正确设置。
设定写入之后使能锁存器中，用户可以亲
通过驱动CS为低电平，发出CEED要么是
EEWRITE ，
IDWRITE
OR A
SWRITE
指令，接着是
待写入的地址，然后该数据的其余部分
10 。多达8个字节的数据可以被发送到设备
前一个写周期是必要的。唯一的限制是
所有的字节都必须驻留在同一个页面。额外
图3-2：
CS
0
SCK
1
2
BYTE EEWRITE序列
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
地址字节
数据字节
7
6
5
4
3
2
1
0
TWC
指令
SI
0
0
0
0
0
0
1
0
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
高阻抗
SO
图3-3：
CS
0
SCK
1
2
PAGE EEWRITE序列
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
地址字节
数据字节1
6
5
4
3
2
1
0
指令
SI
0
0
0
0
0
0 1
0
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
7
CS
24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
数据字节2
SI
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
数据字节3
5
4
3
2
1
0
7
数据字节n （ 8最大值）
6
5
4
3
2
1
0
2011 Microchip的技术公司
初步
DS22280A第9页
MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
