4兆位（ 512K ×8位） CMOS SRAM
T
ABLE
4. 33LV408 ř
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
CC
= 3.3 + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电压
地
输入高电压
1
输入低电压
2
热阻抗
重量
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
2.
V
IL
（分钟） = -2.0V交流（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
S
YMBOL
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
M
IN
3.0
0
2.2
-0.3
--
33LV408
M
AX
3.6
0
V
CC
+0.3
0.8
1.21
12
U
NIT
V
V
V
V
° C / W
克
Θ
JC
T
ABLE
5. 33LV408 ç
APACITANCE
（ F = 1.0 MH
Z
, V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25
°
C)
P
ARAMETER
输入电容
1
CS1 - CS4 ，
OE ， WE
的I / O0-7 ，I / O8-15 ，I / O16-23 ，I / O24-31
输入/输出电容
1
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
IN
= 0 V
7
28
7
C
OUT
V
I / O
= 0 V
8
pF
M
AX
U
尼特
pF
内存
T
ABLE
6. 33LV408 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电流
-20
-25
-30
备用电源
当前
S
YMBOL
C
ONDITION
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
OUT
=V
SS
到V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
闵周期， 100 ％占空比， CS = V
IL
, I
OUT
=0mA,
V
IN
= V
IH
或V
IL
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
1, 2, 3
--
150
140
130
60
mA
M
IN
-2
-2
--
2.4
M
AX
2
2
0.4
--
U
NIT
µA
µA
V
V
mA
I
SB
CS = V
IH
，最小周期
04年2月4日第2版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
3
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