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5962-3826707VNV 参数 Datasheet PDF下载

5962-3826707VNV图片预览
型号: 5962-3826707VNV
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内容描述: 微型电路,存储器,数字, CMOS 128K ×8位EEPROM ,单片硅 [MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON]
分类和应用: 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 315 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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表一,电气性能特点 - 持续。
TEST
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|符号
|
|
|
|
| tWHDX
| tEHDX
|
|
|tWHWL2
|
|
|
|
|
| tWHEL
| tEHEL
|
|
|
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|
| tELWL
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| tOVHWL
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|
|tWLWH2
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| tWHEH
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|
|
| tWHOH
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| VH
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| tOLEL
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|
| tDHWL
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|
| tWHDX
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条件
| -55
(
C

TC

+125
(
C
| VSS = 0 V ; 4.5 V

VCC

5.5 V
|除非另有规定
|
|参见图4,图5,图6为
|适用。 5 /
|
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|
|参见图4,图5,图6为
|适用。 5/6 /
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| A组
|分组
|
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|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|设备
|类型
|
|
| 01-07
| 16-19
| 08-15
|
|
| 01-15
|
| 16-19
|
|01-02,16
|03-04,17
|05-06,18
|07,08,
|13,19
|09,10,
|14
|11,12,
|15
|
| 01-15
|
|
|
| 01-15
|
|
| 01-07
|
| 08-15
|
|
| 01-15
|
|
|
| 01-15
|
|
| 01-15
|
|
|
| 01-15
|
|
|
| 01-15
|
|
|
| 01-15
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
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|
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|
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|
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|
|
|
|
范围
|
MIN | MAX
|
|
10
|
0
|
|
|
.20
| 149
|
.3
| 30
|
| 250
| 200
| 150
| 120
|
| 90
|
| 70
|
|
5
|
|
|
|
5
|
|
|
10
|
|
10
|
|
|
5
|
|
|
|
5
|
|
|
12
| 13
|
|
|
| 50
|
|
|
1
|
|
|
|
1
|
|
|
|
|单位
|
|
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| NS
|
|
|
| µs
|
|
|
|
|
|
| NS
|
|
|
|
|
|
| µs
|
|
|
| µs
|
|
|女士
|
| µs
|
|
| µs
|
|
|
| µs
|
|
|V
|
|
|
|女士
|
|
|
| µs
|
|
|
| µs
|
|
数据保持时间
字节负载循环
加载到数据最后一个字节
轮询
CE建立时间
(芯片擦除)
OE建立时间
(芯片擦除)
WE脉冲宽度(芯片
擦除)
CE保持时间
(芯片擦除)
OE保持时间(芯片擦除)
高压
(芯片擦除)
清除恢复
(芯片擦除)
数据建立时间
(芯片擦除) 7 /
在数据保持时间
芯片擦除周期7 /
参见脚注表的末尾。
SIZE
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
A
修订级别
G
5962-38267
11