4兆位（ 512K ×8位） EEPROM MCM
1. I
LI
在RES = 100微安最大。
2.只有一个CE \\活动。
79C0408
T
ABLE
7. 79C0408 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATIONS1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
芯片使能存取时间OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出启用访问时间CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出保持到地址变更CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
RES到输出延迟CE = OE = V
IL
我们= V
IH 3
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
0
t
DF
9, 10, 11
0
0
0
t
DFR
9, 10, 11
0
0
0
t
RR
9, 10, 11
--
--
--
400
450
650
300
350
450
ns
50
50
60
--
--
--
ns
75
75
125
ns
120
150
200
ns
120
150
200
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间为20ns < ;输出负载 - 1 TTL门+ 100pF电容（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2.
t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
04年10月13日修订版15
所有数据表如有变更，恕不另行通知
4
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