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MX29LV004BQC-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV004BQC-70图片预览
型号: MX29LV004BQC-70
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 54 页 / 723 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV004T/B
使系统能够读取开机坚定洁具从
闪速存储器。
如果复位期间编程或擦除断言
操作时, RY / BY引脚保持一个"0" (繁忙),直到
内部复位操作完成,这需要一个
TREADY时间(嵌入式算法期间) 。该
由此sysytem可以监视RY / BY ,以确定是否
在复位操作完成。如果RESET是断言
当一个程序或擦除操作中commpleted
TREADY的时间(而不是在嵌入式算法) 。
该系统后可以将RESET引脚读取数据TRH
返回到VIH 。
请参考RESET交流特性表
参数和图24的时序图。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
& QUOT ;解锁& QUOT ;写周期。这些后面是写
& QUOT ;建立& QUOT ;命令80H 。两个& QUOT ;解锁& QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H被
或部门擦除命令30H 。
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程执行盟之前
tomatic芯片擦除。当执行自动排屑
擦除,设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证,以包含一个全零的
模式,自定时芯片擦除和验证开始。该
擦除和验证操作均完成时,数据
上Q7是"1" ,此时该装置返回到
阅读模式。该系统不要求提供任何
在这些操作过程的控制和定时。
当使用自动芯片擦除算法,记
该擦除自动终止充足时,
擦除余量已经实现对存储器阵列(无
擦除确认命令是必需的) 。
如果擦除操作是不成功的,在数据
Q5是"1" (见表7 ),表明擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE或CE脉搏,率先在任何情况
命令序列和终止时的数据上
Q7是"1"和Q6的数据停止切换两CON-
secutive读周期,此时设备返回
为读模式。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读,直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生, F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
硅ID读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此,制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
高电压(VID) 。然而,复用高压
到地址线一般不被期望的系统设
签的做法。
该MX29LV004T / B包含一个硅-ID-读操作
重刑水嫩传统PROM编程methodol-
术。通过写读芯片开始运作
ID命令序列到命令寄存器。跟着
哞哞叫的命令写入,读取周期与A1 = VIL ,
A0 = VIL检索C2H的制造商代码。读
循环A1 = VIL , A0 = VIH返回的设备代码
B5H的MX29LV004T , B6H的MX29LV004B 。
P / N : PM0732
REV 。 1.1 ,九月19 , 2001年
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