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MX29LV004BQC-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV004BQC-70图片预览
型号: MX29LV004BQC-70
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 54 页 / 723 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV004T/B
要求进行读取阵列
数据
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE和OE引脚VIL 。 CE是功率控制
和选择器件。 OE为输出控制和大门
数组数据到输出引脚。我们应保持在VIH 。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器客户服务联系的无杂散变更
在电源转换过程中发生。没有命令
必要在该模式下,以获得阵列的数据。标准
微处理器读取主张上的有效地址周期
该器件地址输入生产设备上的有效数据
数据输出。该器件保持启用状态进行读访问
直到命令寄存器的内容被改变。
指的是自选模式,并自动选择命令
有关更多信息,序列部分。
ICC2在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格
表和时序图,用于写操作。
待机模式
当使用CE和RESET的两个引脚,该装置
进入CMOS备在Vcc举行两个引脚
±
0.3V.
RESET引脚40引脚TSOP封装只提供
年龄类型。如果CE和RESET保持在VIH ,但不
内部VCC的范围为± 0.3V ,该设备仍然会在
在待机模式,但待机电流会较大。
在自动算法操作, Vcc的有功电流
( ICC2 )是直到操作是必需的,即使CE = "H"
complated 。该装置可以读取与标准AC-
从任一这些待机模式塞斯时间(TCE) ,
它是前准备读取数据。
写命令/命令
序列
编程数据到设备或擦除的存储器扇区
,在sysytem必须驱动WE和CE为VIL和OE为
VIH 。
该器件具有一个解锁绕道方式,以利
更快速的编程。一旦设备进入解锁
旁路模式下,只有两个写周期都需要
编程一个字节,而不是四个。该"byte计划
命令Sequence"部分有细节
同时使用标准的编程数据到设备和
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门
或整个设备。表指示的地址空间
每个部门占用。一个"sector address"由
所需的唯一选择一个扇区的地址位。
该"Writing特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。表1定义了有效的命令寄存器
序列。写入不正确的地址和数据值或
写他们在不恰当顺序重置设备
读取阵列data."section对擦除细节
扇区或整个芯片,或暂停/恢复擦除
操作。
系统后写自选命令
序,器件进入自动选择模式。该
然后,系统可以从内部看自选码
reqister (这是分开的存储器阵列)上
Q7 - Q0 。标准读周期时序适用于这种模式。
P / N : PM0732
输出禁用
以在逻辑高电平的参考输入( VIH)时,输出从
该设备被禁用。这将导致输出管脚
是在高阻抗状态。
复位操作
( 40 - TSOP封装类型)
RESET引脚提供了复位的硬件方法
该设备读取阵列的数据。当RESET引脚
驱动为低的至少一个周期tRP的,该装置的
立即终止正在进行的任何操作,
所有三态输出引脚,并忽略所有的读/写
命令的复位时脉的持续时间。该
设备也复位内部状态机来阅读
阵列的数据。被中断的操作应
reinitated一旦该设备已准备好接受另一个
命令序列,以保证数据的完整性
电流减小为复位脉冲的持续时间。
当RESET保持在VSS ± 0.3V ,该器件消耗
CMOS待机电流( ICC4 ) 。如果RESET保持在VIL
但是不能在VSS ± 0.3V ,待机电流将
更大的。
RESET引脚可以连接到系统复位电路。一
系统复位将也重设闪存,
REV 。 1.1 ,九月19 , 2001年
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