MX29LV040C
自动编程
该MX29LV040C是利用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV040C的温度低于10仲
哔声。
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV040C elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV040C是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态表6中，对于多
这些状态位的信息。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 〜 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A1和A0为指
到表2中。此外，以访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE-
通过无命令寄存器择命令
需要的VID ，如表3所示。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
P / N ： PM1149
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
