MX29LV040C
要求进行读取阵列
数据
从输出读阵列数据，系统必须
驱动CE ＃和OE ＃引脚VIL 。 CE＃为电源
控制和选择器件。 OE＃为输出控制
与门阵列的数据输出管脚。 WE＃应保持
在VIH 。
内部状态机设置为读取阵列数据
在器件上电。这确保了没有寄生
改变存储器内容的权力过程中发生
过渡。没有命令是必要的，此模式
获取数组数据。标准的微处理器读周期
在器件地址输入断言有效地址
生产上的设备数据输出有效数据。该装置
保持启用，直到命令读取访问
寄存器的内容被改变。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这种模式下，
电流消耗被大大降低，并且输出
被置于高阻抗状态，独立的
在OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE＃引脚既保持在VCC ± 0.3V 。 （注意，这是一个
如果CE ＃保持在更受限制电压范围比VIH ）。
VIH，但不能在VCC ±0.3V ，该设备将在
待机模式中，但是待机电流将更大。
该设备要求的标准访问时间（TCE ），用于读出
访问时，该设备在任一这些备用的
模式，它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到操作
就完成了。
ICC3在DC特性表代表
待机电流规格。
写命令/命令序列
编程数据到设备或擦除的存储器扇区
，系统必须驱动WE＃和CE ＃为VIL和OE ＃
到VIH 。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门
或整个设备。表1表示的地址空间
每个部门占用。一个"sector address"由
所需的唯一选择一个扇区的地址位。
该"Writing特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。表3定义了有效的寄存器命令
序列。写入不正确的地址和数据值或
写他们在不恰当顺序重置设备
读取阵列的数据。部分对擦除细节
扇区或整个芯片，或暂停/恢复擦除
操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部看自选码
寄存器（它是分开的存储器阵列）上
Q7 - Q0 。标准读周期时序适用于这种模式。
指的是自选模式，并自动选择命令
有关更多信息，序列部分。
ICC2在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
输出禁用
与处于逻辑高电平的OE＃输入（ VIH）时，输出
从设备被禁用。这将导致输出
引脚为高阻抗状态。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读，直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
P / N ： PM1149
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
8
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
