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MX29LV320ABXBC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV320ABXBC-70G图片预览
型号: MX29LV320ABXBC-70G
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内容描述: 32M - BIT [ 4M ×8 / 2M ×16 ]单电压3V仅限于Flash存储器 [32M-BIT [4M x 8 / 2M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 60 页 / 604 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV320AT/B
要求进行读取阵列
数据
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE和OE引脚VIL 。 CE是功率控制
和选择器件。 OE为输出控制和大门
数组数据到输出引脚。我们应保持在VIH 。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。这
保证了内存的内容没有虚假变更
在电源转换过程中发生。没有命令
必要在该模式下,以获得阵列的数据。标准
微处理器读取主张上的有效地址周期
该器件地址输入生产设备上的有效数据
数据输出。该器件保持启用状态进行读访问
直到命令寄存器的内容被改变。
加快程序运行
该器件提供通过加快程序运作
在WP / ACC功能。如果系统断言V
HH
在ACC
销,该装置将提供快速的编程时间到
用户。此功能的主要目的是允许更快
在生产过程中生产量。删除
V
HH
从WP / ACC引脚器件返回到正常
操作。需要注意的是WP / ACC脚不能在V
HH
对于操作要比加速编程,或其他
设备的损坏可能会导致。
待机模式
MX29LV320AT / B可被设置为待机模式的两个
不同的方法。一种是同时使用CE和RESET
销和另一种是只用RESET引脚。
当使用CE的两个引脚和RESET ,一个CMOS
待机模式实现了与在Vcc ±举行两个引脚
0.3V 。在此条件下,所消耗的电流不
比0.2uA (典型值) 。如果同时CE和RESET都举行
在VIH,但不是内的VCC ±0.3V的范围内,该装置
将仍处于待机模式,但待机电流
将更大。在自动算法操作, Vcc的AC-
略去电流( ICC2 )是必需的,即使CE = "H"直到
操作完成。该装置可以读取标
无论从这些备用的准存取时间( TCE)
模式。
当仅使用RESET ,一个CMOS待机模式
实现了与为VSS举行RESET输入
±
0.3V ,在
该状态下,电流小于1μA,消耗更少
(典型值) 。一旦RESET引脚被拉高,该设备是
回活动没有恢复延迟。
在待机模式下的输出处于高阻抗
ANCE状态,独立于OE输入。
MX29LV320AT / B能够提供自动
待机模式期间读抑制功耗
出的数据。此模式可有效地与一个可以使用
应用程序所请求低功耗等
手持终端。
要激活该模式, MX29LV320AT / B自动
切换自己的低功耗模式时,
MX29LV320AT / B地址的访问过程中保持稳定
的TACC + 30ns的时间。这是没有必要的控制CE,
WE和OE的模式。根据该模式下,电流
消耗通常0.2uA ( CMOS电平) 。
写命令/命令序列
编程数据到设备或擦除的存储器扇区
,系统必须驱动WE和CE为VIL和OE为
VIH 。
擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门
或整个设备。表1表示的地址空间
每个部门占用。一个"sector address"由
所需的唯一选择一个扇区的地址位。
写入特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。表3定义了有效的寄存器命令
序列。写入不正确的地址和数据值或
写他们在不恰当顺序重置设备
读取阵列的数据。部分对擦除细节
扇区或整个芯片,或暂停/恢复擦除
操作。
系统后写入自动选择命令
序,该设备将自动进入自动选择模式。
然后,系统可以读取自动选择码
内部寄存器(这是分开的存储器
阵列)上Q7 - Q0 。标准的读周期时序适用
此模式。请参阅自动选择模式和
欲知更多自动选择命令序列部分
信息。
ICC2在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格
表和时序图,用于写操作。
P / N : PM1008
REV 。 1.1 , 2004年5月28日
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