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MX29LV320ABXBC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV320ABXBC-70G图片预览
型号: MX29LV320ABXBC-70G
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内容描述: 32M - BIT [ 4M ×8 / 2M ×16 ]单电压3V仅限于Flash存储器 [32M-BIT [4M x 8 / 2M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 60 页 / 604 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV320AT/B
表2.总线操作 - 1
手术
写(注1 )
加速
节目
待机
输出禁用
RESET
业集团
保护(注2 )
芯片撤消
(注2 )
临时机构
集团解除
图例:
L =逻辑低电平= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=12.0±0.5V, V
HH
= 11.5-12.5V ,X =无关,A
IN
=地址,D
IN
=数据,
D
OUT
= OUT数据
注意事项:
1.当WP / ACC引脚为V
HH
,器件进入加速程序模式。见"Accelerated计划
Operations"以获取更多信息。
2,扇区基保护和芯片解除保护功能也可以通过编程设备来实现。看
在"Sector组保护芯片Unprotection"部分。
3,如果WP / ACC = V
IL
,最外边的两个引导区受到保护。如果WP / ACC = V
IH
,两个最外侧的引导扇区
保护取决于他们是否正在使用中"Sector记载的方法最后保护或未保护的/
部门块保护和Unprotection" 。如果WP / ACC = V
HH
,所有部门将不受保护。
4.DIN上还是DOUT所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法。
5.Address是A20 : A0字模式(字节= V
IH
) , A20 : A- 1字节模式(字节= V
IL
).
X
X
X
V
ID
注3
L
H
L
V
ID
注3
VCC
±
X
0.3V
L
X
L
H
X
H
H
X
L
X
VCC
±
0.3V
H
L
V
ID
L / H
L / H
L / H
X
X
A6 = L时, A 1 = H, A 0 = L
扇区地址,D
IN
, D
OUT
A6 = H ,A = H, A 0 = L
A
IN
D
IN
D
IN
高-Z
X
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
高-Z
高-Z
X
H
X
高-Z
高-Z
高-Z
CE
L
L
L
OE
L
H
H
我们重置WP / ACC
H
L
L
H
H
H
L / H
注3
V
HH
地址
(注2 )
A
IN
A
IN
A
IN
D
OUT
D
IN
D
IN
Q0~Q7
D
OUT
D
IN
D
IN
Q8 ~ Q15
字节= VIH
字节= VIL
Q8-A14
=高阻
Q15=A-1
扇区地址,D
IN
, D
OUT
P / N : PM1008
REV 。 1.1 , 2004年5月28日
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