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MT4LC1M16E5TG-6 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC1M16E5TG-6图片预览
型号: MT4LC1M16E5TG-6
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内容描述: EDO DRAM [EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 384 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
READ CYCLE
tRC
tRAS
V IH
V IL
tCSH
tRSH
tCRP
V IH
V IL
tAR
tASR
tRAD
tRAH
tASC
tCAH
tACH
ADDR
V IH
V IL
ROW
tRCS
WE#
V IH
V IL
tAA
tRAC
tCAC
tCLZ
DQ
V OH
V OL
COLUMN
tRCH
ROW
tRCD
tCAS
tCLCH
tRRH
tRP
RAS#
CASL#/CASH#
NOTE 1
tOFF
OPEN
tOE
VALID DATA
tOD
OPEN
OE#
V IH
V IL
DON’T CARE
UNDEFINED
TIMING PARAMETERS
-5
SYMBOL
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CLZ
t
CRP
t
CSH
t
OD
-6
MAX
25
MIN
15
45
0
0
13
15
10
10
5
0
5
45
0
10,000
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SYMBOL
t
OE
t
OFF
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
RP
t
RRH
t
RSH
-5
MIN
0
9
9
50
84
11
0
0
30
0
13
10,000
MAX
12
12
50
MIN
0
12
10
60
104
14
0
0
40
0
15
-6
MAX
15
15
60
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MIN
12
38
0
0
8
8
5
0
5
38
0
10,000
12
15
NOTE:
1.
t
OFF is referenced from rising edge of RAS# or CAS#, whichever occurs last.
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
12
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©2001, Micron Technology, Inc