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N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

N25Q128A11B1241F图片预览
型号: N25Q128A11B1241F
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内容描述: 128兆位, 1.8 V ,多个I / O , 4 KB的界别分组擦除引导扇区, XIP启用,串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 185 页 / 5874 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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N25Q128 - 1.8 V  
Instructions  
Figure 69. Write Volatile Enhanced Configuration Register instruction sequence  
DIO-SPI  
S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11  
C
Volatile Enhanced  
Configuration Register In  
Byte  
Byte  
Instruction  
6
4
2
0
1
6
7
4
5
2
0
1
DQ0  
DQ1  
7
5
3
3
Dual_Write_VECR  
9.2.25  
Deep Power-down (DP)  
The Deep-Power-down (DP) instruction sets the device in Deep Power-down mode. Apart  
form the parallelizing of the instruction code on the two pins DQ0 and DQ1, the instruction  
functionality is exactly the same as the Deep Power-down (DP) instruction of the Extended  
SPI protocol. The instruction sequence is shown in Figure 70: Deep Power-down instruction  
sequence.  
Figure 70. Deep Power-down instruction sequence  
S
tDP  
0
1
2
3
C
Instruction  
DQ0  
DQ1  
Standby mode Deep power-down mode  
Dual_DP  
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