数据表
HAL82x
第3步：定义校准点
校准点1和2可以内部设置
指定范围。对于V对应的值
OUT1
和V
OUT2
起因于应用程序的要求。
2.3 。校准程序
2.3.1 。一般步骤
为在系统环境中校准，所述应用
Micronas公司化套件建议。它包含的
硬件生成的序列电报的
编程器（Programmer董事会版本5.1 ）和
为相应的软件（ PC824和PC825 ）
寄存器值的输入。
每个传感器中的客个人校准
Tomer的应用程序，两个点的调整是中建议
谁料。校准应做到如下：
LowClampingVoltage
≤
V
OUT1,2
≤
HighClampingVoltage
步骤1：输入的不必是寄存器
单独调整
磁回路，所述磁材料，其
的温度特性，该滤波器的频率，所述
输出模式和GP的寄存器值，给出了
此应用程序。下面的。因此，这些值
寄存器应该是相同的客所有的传感器
Tomer的应用程序。
- 过滤器
（根据最大信号频率）
·范围
（根据最大磁场在
感应器的位置）
- 输出outputmode
- TC ， TCSQ和TC -RANGE
（依赖于磁体和的材料
应用程序的其他温度依赖性）
• GP
（如果客户想保存自己的生产Infor公司
息。就没有必要改变该寄存器）
作为钳位电压给出。他们有一个
对D / A读数值的影响，并可以设置
因此，当调整期。
写相应的设置到HAL82x寄存器
字符。
用于传感器，校准点的准确度最高
的最小和最大输入信号接近的消遣
ommended 。输出电压的差
校准点1和校准点2之间
应大于3.5V。
第4步：计算V
OQ
和灵敏度
设置系统校准点1和读取的稳压
存器D / A读数。其结果是在值D / A-
READOUT1.
现在，设置系统校准点2 ，阅读
再次注册D / A读出并得到值D / A-
READOUT2.
使用这些值和目标值V
OUT1
和
V
OUT2
，对于校准点1和2 ，分别
灵敏度和V的值
OQ
的计算公式为：
1
(
Vout2
–
Vout1
)
16384
-
-
-
灵敏度
= --
×
--------------------------------------------------------------------------------
×
--------------
2
(
D / A READOUT2 - D / A Readout1
)
5
1
Vout2
×
16384
-
-
V
OQ
= -----
×
------------------------------------ –
16
5
5
-
[ (
D / A READOUT2 - 8192
) ×
灵敏度
×
2
] ×
-----------
1024
步骤2 ：初始化DSP
由于D / A读出寄存器的值取决于
灵敏度， VOQ和夹式的设置
LOW / HIGH ，这些寄存器都被初始化
与定义的值，第一：
- VOQ
初始
= 2.5 V
- 灵敏度
初始
= 0.5
- 夹具 - 低= 0 V
- 夹具 - 高= 4.999 V
这一计算，必须单独地为每个完成的
传感器。
接下来，写灵敏度的计算值和
V
OQ
入IC用于调节传感器。在那个时候它
还能够存储应用程序的特定值
对夹式和低钳位 - 高进传感器
EEPROM 。
MICRONAS
2009年2月3日; DSH000143_003EN
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MICRONAS [ MICRONAS ]
