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HAL824UT-K 参数 Datasheet PDF下载

HAL824UT-K图片预览
型号: HAL824UT-K
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内容描述: 高精度可编程线性霍尔效应传感器系列 [High-Precision Programmable Linear Hall-Effect Sensor Family]
分类和应用: 传感器
文件页数/大小: 32 页 / 1642 K
品牌: MICRONAS [ MICRONAS ]
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HAL82x
2.2 。数字信号处理和EEPROM
在DSP是这个传感器和执行的主要部分
信号调理。该参数用于DSP
被存储在EEPROM中的寄存器。详情
在如图3所示。 2-3。
术语:
灵敏度:寄存器或寄存器值名称
灵敏度:
参数的名称
数据表
转换器偏移补偿等几个spe-
CIAL设置。
外部磁场产生的霍尔电压
霍尔板。该ADC将放大
正或负的霍尔电压(使用mag-
在该品牌的一面NETIC南北两极
包),以数字值。数字信号是滤波器
羊羔在内部的低通滤波器和操纵
根据存储在EEPROM中的设置。该
信号处理后的数字值是可读的
D / A读出寄存器。根据编程
梅布尔磁范围内的霍尔IC ,操作
在A / D转换器的范围是从
−30
mT的... + 30 mT的
最多
−100
mT的... + 100公吨。
在进一步的处理中,数字信号是多
合股的灵敏度因子,加入到静态
根据钳位输出电压和有限
电压。该结果被转换为模拟信号
和稳定化通过一个推挽输出级晶体管。
该D / A READOUT在任何给定的磁场
取决于程序的磁场范围内,则
低通滤波器, TC值和CLAMP -LOW和
CLAMP -HIGH 。在D / A的读出范围为分钟。 0
和最大值。 16383 。
在EEPROM寄存器包括四组:
第1组包含的适配寄存器
传感器与磁系统:模式选择
磁场范围和滤波频率, TC ,
TCSQ和TC-范围的温度characteris-
磁场灵敏度的抽动。
第2组包含用于限定输出寄存器
特点:灵敏度, VOQ , CLAMP -LOW ,
和CLAMP -HIGH 。的输出特性
传感器是由这4个参数来定义。
- 参数V
OQ
(静态输出电压) cor-
响应该输出电压在B = 0毫乇。
- 参数灵敏度定义磁森
敏度:
Δ
V
OUT
-
灵敏度
= ----------------
Δ
B
注意:
在应用程序设计,它应该采取
考虑到该最大和最小值
妈妈的D / A - READOUT不应在饱和
操作范围的具体应用。
- 输出电压可被计算为:
范围
的范围内位是2位和第3模式寄存器;
它们定义了A / D转换的磁场范围
变频器。
磁场范围
−30
mT的... 30 mT的
−60
mT的... 60 mT的
−80
mT的... 80 mT的
−100
mT的... 100 mT的
范围
0
1
2
3
V
OUT
灵敏度
×
B
+
V
OQ
输出电压范围可通过设置夹持
寄存器CLAMP -LOW和CLAMP -HIGH为了
使故障检测(如短路到
V
DD
或GND和打开的连接) 。
第3组中包含的通用寄存器GP 。该
GP寄存器可用于存储客户信息
化,像制造后一个序列号。微
NAS将使用这个GP寄存器来存储信息
像,批号,晶圆数量, x和y位置
死在晶片上,等等。这些信息可以读出
由客户,并存储在它的上数据的基础上,或者它
可以留在传感器原样。
第4组包含Micronas公司寄存器和锁
所有寄存器的锁定。 Micronas公司的寄存器
编程并在生产过程中被锁定。这些寄存器的
存器用于振荡器频率微调, A / D
8
2009年2月3日; DSH000143_003EN
MICRONAS