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JS28F256M29EWLB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: JS28F256M29EWLB
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内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 75 页 / 855 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB,512MB , 1GB,2GB : 3V嵌入式并行NOR闪存
设备保护
请参阅块保护状态表和软件保护计划数字
对块保护计划的细节。是指为保护操作部分
的命令集的描述。
挥发性保护模式
挥发的保护使软件应用程序,以防止inadver-块
10吨变化,可以在需要的变化被禁用。挥发性保护位
唯一的每个块,并且可以单独地修改。挥发性保护位控制
只有那些没有被保护块的非易失性保护位保护方案
清零1.发行程序挥发性保护位或清除挥发
保护位命令设置为0或清除,以1挥发保护位和安慰剂
ces上的受保护的(0)或未被保护的(1)状态下,分别对相关的块。该
挥发性保护位可以设置或根据需要经常清理。
当设备首次发货,或电或硬件复位后,挥发性亲
tection位默认为1 (无保护) 。
非易失性保护模式
一种非易失性保护位被分配给每个块。每个这些位可以设置为
保护单独发出一个程序非易失性保护位的COM
命令。此外,每个设备都有一个全球性的挥发性位被称为非易失性保护位
锁位;它可以被设置,以保护所有非易失性保护位在一次。这一全球性的位
必须被设置为0后,才所有非易失性保护位被配置为所需的
设置。如果设置为0 ,非易失性保护位锁定位可以阻止改变
的非易失性保护位的状态。当清零时为1,非易失性保护
位可以设置和使用非易失性程序保护位清零,
清除所有非易失保护位的命令,分别。
没有软件解锁命令,除非该设备的非易失性保护位锁定位
在密码保护模式;在非易失性保护模式中,非易失性保护
化位锁定位只能通过硬件复位或携带装置被清除
电。
非易失性保护位不能单独清除;他们必须清除所有的
使用CLEAR所有非易失保护位命令一次。他们将重新
主要设置通过硬件复位或断电/上电顺序。
如果非易失性保护位1需要被清零(未保护的) ,附加的
需要以下步骤:首先,非易失性保护位锁定位必须清零1,我们 -
荷兰国际集团无论是电源循环或硬件复位。然后,非易失性保护位可以是
改变,以反映所需的设置。最后,非易失性保护位锁定位
必须被设置为0,以锁定该非易失性保护位。该设备现在将工作去甲
马利。
为了达到最好的保护,在非易失性程序保护锁位
命令应当在所述引导代码的早期执行,并且所述引导代码应亲
通过举办V tected
PP
/ WP #为低。
非易失性保护位和挥发性保护位具有相同的功能,当
V
PP
/ WP#为高电平或当V
PP
/ WP #处于电压程序加速(V
PPH
).
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m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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