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JS28F256M29EWLB 参数 Datasheet PDF下载

JS28F256M29EWLB图片预览
型号: JS28F256M29EWLB
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内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 75 页 / 855 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB,512MB , 1GB,2GB : 3V嵌入式并行NOR闪存
设备保护
密码保护模式
口令保护模式提供安全的比非易失性更高的水平
通过要求一个64位的密码来解锁非易失性保护位保护模式
锁定位。除了这个密码要求中,非易失性保护位锁
位被设置为0后电和复位以保持设备中的密码保护
模式。
通过输入正确的密码清零执行解锁密码命令
非易失性保护位锁定位,使该块的非易失性保护位
进行修改。如果所提供的密码不正确,非易失性保护位锁
位保持锁定,以及非易失性保护位的状态不能被修改。
为了将设备放置在密码保护模式,需要以下两个步骤:
首先,激活口令保护模式之前,一个64位的密码必须设置
并设置了验证。密码验证只允许密码之前,亲
tection模式被激活。接着,密码保护模式是通过编程激活
明密码保护模式锁定位为0。这个操作是不可逆的。后
位被设定,它不能被擦除,该装置永久地保持在密码
保护模式和64位密码既不能被检索,也不重新编程。
此外,当密码被存储的所有命令的地址被禁用。
注意:
没有任何手段来验证口令后口令保护模式是ENA-
流血。如果启用了口令保护模式后密码丢失,也没有
的方法来清除非易失性保护位锁定位。
密码访问
访问密码是保护存储在主信息的安全性增强
数组防止内容变更或块读取,直到一个有效的64位密码
收到。密码访问可能与非易失性和/或挥发性的保护相结合
建立一个多层次的解决方案。请联系您的美光的销售代表索取进一步
详细信息。
图12 :软件保护方案
挥发性保护位
1 =无保护
0 =保护
(默认设置取决于产品订单选项)
挥发物
保护
阵列块
非易失性保护位
1 =未保护的(默认)
0 =保护
非易失性
保护
非易失性保护位锁定位(挥发性)
1 =解锁(默认情况下,在上电或硬件复位)
0 =锁定
非易失性保护
模式
密码保护
模式
PDF : 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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