欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

JS28F256M29EWLB 参数 Datasheet PDF下载

JS28F256M29EWLB图片预览
型号: JS28F256M29EWLB
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 75 页 / 855 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
 浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第67页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第68页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第69页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第70页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第72页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第73页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第74页浏览型号JS28F256M29EWLB的Datasheet PDF文件第75页  
256MB,512MB , 1GB,2GB : 3V嵌入式并行NOR闪存
编程/擦除特性
编程/擦除特性
表33 :编程/擦除特性
注1和2适用于整个表。
参数
块擦除( 128KB )
擦除挂起等待时间
块擦除超时
字节编程
单字节的程序
字节写入到缓冲区方案
卜FF器
SIZE
64
128
256
有效的写缓冲
每个字节的程序
Word程序
单字程序
字写缓冲程序
64
128
256
32
64
128
256
512
有效的写缓冲
每个字的程序
32
64
128
256
512
计划暂停等待时间
BLANK CHECK
编程/擦除周期(每块)
擦除挂起
注意事项:
字节
64
128
256
1
1
1
32
64
128
256
512
1
1
1
1
1
50
100,000
典型值
0.8
27
210
270
310
375
4.22
2.42
1.46
210
270
310
375
505
900
8.44
4.84
2.93
1.97
1.76
27
3.2
500
最大
4
32
456
716
900
1140
11.2
7
4.45
456
716
900
1140
1690
3016
22.4
14.1
8.9
6.6
5.89
32
单位
s
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ms
周期
µs
笔记
1.典型值在室温下测量和标称电压。
2.典型值和最大值进行采样,而不是100 %测试。
3.擦除暂停是初始块擦除或删除恢复的典型时间
命令和随后的擦除挂起命令。违反该规范重
peatedly在任何特定的块擦除可能会导致擦除失败。
PDF : 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
71
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
©
2012美光科技公司保留所有权利。