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JS28F640P30TF75A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: JS28F640P30TF75A
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内容描述: Numonyx® Axcellâ ?? ¢ P30-65nm闪存 [Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 90 页 / 1194 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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P30-65nm SBC
1.0
1.1
功能说明
介绍
本文档提供了关于恒忆的信息
®
Axcell
TM
P30-65nm单位
每个单元( SBC)的闪存,并描述其特征,操作和技术规格。
P30-65nm SBC器件采用64兆和128兆比特提供。其优势包括高速
接口和设备,并支持代码和数据存储。其特点包括高
性能的同步脉冲串读取模式下,在缓冲液中的戏剧性的改善
通过较大的缓冲区大小,快速异步访问时间,低功耗方案的时候,
灵活的安全选项和三个行业标准封装选择。
P30-65nm SBC器件采用65nm工艺技术制造。
1.2
概观
P30-65nm SBC器件提供了一个16位数据总线的高性能。个别地
可擦除存储块的大小,以获得最佳的代码和数据的存储。在初始
上电或从回归复位,设备默认为异步页面模式读取。
配置读取配置寄存器( RCR )实现同步突发模式
读取。在同步脉冲串模式下,输出数据与用户提供的同步
时钟信号。等待信号提供了方便CPU到闪存的同步。
除了增强的体系结构和接口,该设备采用
技术,使快速缓冲编程和擦除操作。该设备的特点
一个256字缓冲器,以使最佳的编程性能,从而可以提高
系统编程吞吐量时间显著至
1.8MByte/s.
专为低电压系统中, P30-65nm SBC设备支持读取操作
与VCC为1.8V ,并擦除和编程操作与VPP为1.8V或9.0V 。缓冲
增强工厂编程提供了最快的闪存阵列编程
性能与VPP在9.0V ,从而提高工厂产能与3.2Mbyte /秒。
与VPP在1.8V , VCC和VPP可以连在一起,一个简单的,超低功耗
设计。除了电压的灵活性,有专门的VPP连接提供完整的
数据保护时, VPP
V
PPLK
.
该命令的用户界面是该系统处理器和所有的界面
该装置的内部操作。内部写状态机自动
执行所需的块擦除和编程的算法和时序。 A状态
寄存器表示擦除或编程完成和可能发生的任何错误。
设备命令序列调用编程和擦除自动化。每个擦除
操作擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软件
暂停的擦除周期到另一个块读取或程序数据。节目暂停
允许系统软件编程暂停读取其他位置。
该OTP寄存器允许,可以用来增加独特的闪光装置的识别
系统的安全性。个别块锁定功能提供零延迟块锁定
和解锁。该P30-65nm SBC设备将通过加强密码保护
访问;这项新功能允许写入和/或读取访问保护用户自定义
块。此外, P30-65nm SBC器件还具有向后兼容的一次性
可编程( OTP )永久阻止锁定安全功能。
数据表
5
2010年4月
订单号: 208033-02