128MB 3V嵌入式并行NOR闪存
DC特性
DC特性
表26 ：直流电流特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
读
当前
随机读取
页面读取
V
CC
待机
当前
六年级
3级
I
CC3
计划/
抹去
调节器
活跃
V
PP
/ WP ＃ = V
IL
或V
IH
V
PP
/ WP ＃ =
V
PPH
I
CC2
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
f
= 6兆赫
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
f
= 10 MHz的
CE＃ = V
CCQ
±0.2V
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
1
1
1
1
3
1
最大
±1
±1
10
15
100
200
20
20
5
5
10
5
10
5
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
mA
mA
µA
µA
mA
µA
mA
µA
笔记
V
CC
编程/擦除电流
V
PP
节目
电流（亲
克）
读或待机
待机
RESET
操作计划
化
不断的
I
PP1
I
PP2
I
PP3
V
PP
/ WP ＃
≤
V
CC
RST ＃ = V
SS
±0.2V
V
PP
/ WP ＃ = 12V ± 5 ％
V
PP
/ WP ＃ = V
CC
V
PP
程序擦除操作
电流（擦除）正在进行
注意事项：
I
PP4
V
PP
/ WP ＃ = 12V ± 5 ％
V
PP
/ WP ＃ = V
CC
1.最大输入漏电流为± 5μA在V
PP
/ WP ＃引脚。
2.当车处于非活动状态
t
AVQV + 30ns的或更多，存储器进入自动待机动
通过。
3.只有采样;未经100％测试。
PDF ： 09005aef84daa141
m29w_128mb.pdf - 版本A 7/13 EN
58
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2012美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
