8GB （ X72 ， ECC ， DR ） 240针DDR3 VLP RDIMM
电气规格
电气规格
强调以上这些，可能会导致模块永久性损坏。这是一个
额定值，以及模块的这些功能操作或任何其他条件
外面那些在每个设备的数据表显示系统蒸发散是不是暗示。置身于AB-
溶质的最大额定值条件下工作会产生不利影响的可靠性。
表8 ：绝对最大额定值
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
参数
V
DD
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
民
–0.4
–0.4
最大
1.975
1.975
单位
V
V
表9 ：工作条件
符号参数
V
DD
I
VTT
V
TT
I
I
V
DD
电源电压
从终端参考电流
V
TT
端接参考电压（直流） -
命令/地址总线
输入漏电流;
任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
; V
REF
输入0V
≤
V
IN
≤
0.95V （所有其他引脚
不被测= 0V ）
地址IN-
放， RAS ＃ ，
CAS ＃ ， WE＃ ，
S ＃ ， CKE ， ODT ，
BA ， CK ， CK ＃
DM
I
OZ
输出漏电流; DQ ， DQS ，
0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
; DQ
DQS ＃
和ODT被禁用;
ODT是HIGH
V
REF
供应漏电流;
V
REFDQ
= V
DD
/ 2或V
REFCA
= V
DD
/2
（所有其它引脚不被测= 0V ）
模块环境
工作温度
DDR3 SDRAM康波
新界东北的情况下运行
温度
注意事项：
广告
广告
民
1.425
–600
0.49 × V
DD
- 为20mV
–
喃
1.5
–
0.5 × V
DD
–
最大
1.575
600
0.51 × V
DD
+ 20mV的
–
单位
V
mA
V
µA
笔记
–4
–10
0
0
4
10
µA
I
VREF
–18
0
18
µA
T
A
T
C
0
0
–
–
70
95
°C
°C
1. V
TT
超过规定的限额终止电压指令产生不利影响
和地址信号“电压裕度，并减少时序余量。
2. T
A
和T
C
是同时的要求。
3.如欲了解更多信息，请参阅技术说明TN- 00-08 ： “热应用程序”
可在Micron的网站。
4.刷新率必须在85°C < T双重
C
≤
95°C.
5.输入端接至V
DD
/ 2 。输入电流是依赖于终端电阻SE-
选择按照寄存器。
PDF ： 09005aef8482a8a7
jdf18c1gx72pdz.pdf - Rev. D的12/12 EN
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