8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
引脚说明
44引脚SOP 40脚TSOP 48针TSOP
号码数字数字符号
43
9
11
WE＃
TYPE
输入
描述
写使能：确定是否一个给定的周期是一个写周期。如果
WE＃为低，周期可以是一个写命令
执行逻辑（ CEL）或以对存储器阵列。
写保护：解锁引导块，如果V HIGH的时候
PP
=
V
PPH
1
（ 3.3V ）或V
PPH
2
（ 5V ）和RP ＃ = V
IH
写操作期间或
抹去。不影响写入或擦除其他操作
块。
芯片启动：启动设备时低。当CE＃为
高，设备被禁用，并且进入待机功耗
模式。
复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态寄存器，
设置内部状态机（ISM）到该阵列中读取模式
而将器件置于深度掉电模式。所有输入，
包括CE ＃ ，是“不关心”，并且所有输出高阻。
RP ＃解锁引导块和覆盖的条件
WP ＃在V时
HH
（12V ），并且必须在V举行
IH
在所有
其他的操作模式。
输出使能：允许数据输出缓冲器低的时候。
当OE＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。
字节使能：如果BYTE ＃ =高，高字节是通过活跃
DQ8 - DQ15 。如果BYTE ＃ =低， DQ8 - DQ14是高阻，所有
数据通过DQ0 - DQ7的访问。 DQ15 / （ A - 1 ）成为
最显著的地址输入。
地址输入：选择一个唯一的16位字或8位字节。该
DQ15 / （ A - 1 ）输入变为最低阶地址时，
字节＃ =低（ MT28F800B3 ） ，以允许选择的8-
位字节从1,048,576可用。
–
12
14
WP ＃
输入
12
22
26
CE＃
输入
44
10
12
RP ＃
输入
14
33
24
–
28
47
OE ＃
BYTE ＃
输入
输入
11, 10, 9, 8,
7, 6, 5, 4, 42,
41, 40, 39,
38, 37, 36,
35, 34, 3, 2
31
21, 20, 19, 18,
17, 16, 15, 14,
8, 7, 36, 6, 5,
4, 3, 2, 1, 40,
13, 37
–
25, 24, 23,
22, 21, 20,
19, 18, 8, 7,
6, 5, 4, 3, 2,
1, 48, 17, 16
45
A0–A18/
(A19)
输入
DQ15/
(A - 1)
DQ0–
DQ7
DQ8–
DQ14
V
PP
输入/数据I / O：数据的MSB时， BYTE ＃ = HIGH 。地址输入： LSB
地址输入时， BYTE ＃ =低在读或写输出
操作。
输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或
输出数据在写入期间输入引脚。这些引脚用于输入
命令来对CEL 。
输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或
写操作期间的输出数据输入引脚时， BYTE ＃ = HIGH 。这些
引脚为高阻时， BYTE ＃为低。
供应写/擦除电源电压：从写入或擦除CONFIRM
直到写或擦除，V完成
PP
必须是在V
PPH
1
（ 3.3V ）或V
PPH
2
(5V). V
PP
=在所有其他“无关”
操作。
供电电源： + 3.3V ± 0.3V 。
供应地。
–
无连接：这些引脚可被驱动或悬空。
15, 17, 19,
21, 24, 26,
28, 30
16, 18, 20,
22, 25, 27,
29
1
25, 26, 27,
28, 32, 33,
34, 35
–
29, 31, 33,
35, 38, 40,
42, 44
30, 32, 34,
36, 39, 41,
43
13
11
23
13, 32
–
30, 31
23, 39
29, 38
37
27, 46
9, 10, 15
V
CC
V
SS
NC
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
4
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