128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
PIN / BALL说明
56引脚TSOP
号码
55
64球FBGA
号码
符号类型
G8
WE＃
输入
描述
写使能：确定一个给定的周期是写
周期。如果WE＃为低，周期可以是在写
命令执行逻辑（ CEL）或以对存储器阵列。
地址和数据锁存的上升沿
WE＃脉冲。
芯片使能：三CE引脚允许使用多个
无需额外的系统中的闪存设备
逻辑。该装置可被配置为使用一个单一的CE
通过捆绑CE1和CE2到地面，然后用信号
CE0为CE 。与第一边缘装置选择发生
CE0 ， CE1 ， CE2或（ CEX ） ，使设备。设备
取消选择时与CEX的所述第一边缘
禁止器件（见表2）。
复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态
寄存器，设置ISM的阵列读取方式和地点
该设备在深度掉电模式。所有输入，
包括CEX ，是“不关心”，并且所有输出
高阻抗。 RP ＃必须在V举行
IH
在所有其他模式
的操作。
输出允许：允许数据输出中的缓冲区低时。
当OE＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。
在读写操作地址输入。 A0为
只用在x8模式。 A22 （引脚1 ，球A8 ）仅
可在64兆和128兆的设备。 A23 （销30 ，
球G1 ）仅提供128MB的设备上。
14, 2, 29
B4 ，B8， H1
CE0 ， CE1 ，输入
CE2
16
D4
RP ＃
输入
54
32, 28, 27,
26, 25, 24, 23,
22, 20, 19, 18,
17, 13, 12, 11,
10, 8, 7, 6, 5, 4,
3, 1, 30
31
F8
G2中，A1 ，B1，C1 ，
D1，D2， A2 ，C2
A3，B3， C3，D3 ，
C 4， A5，B5 ，C5
D7，D8 ，A7， B7，
C7，C8 ，A8， G1
F1
OE ＃
A0–A21/
(A22)
(A23)
输入
输入
BYTE ＃
输入
BYTE ＃为低电平时，器件在x8模式。 BYTE ＃
高处的设备，在x16模式并关闭
时，A0输入缓冲器。地址A1变为最小
为了地址在x16模式。
必要的电压擦除块，编程数据，
或配置锁定位。通常情况下，V
笔
被连接到
V
CC
。当V
笔
≤
V
PENLK
这个引脚使能硬件写
PROTECT 。
15
A4
V
笔
输入
33, 35, 38, 40,
44, 46, 49, 51,
34, 36, 39, 41,
45, 47, 50, 52
53
F2 ，E2， G3 ，E4
E5 ， G5 ， G6 ， H7 ，
E1，E3 ，F3，F4 ，
F5 ，H5， G7 ，E7
E8
DQ0–
DQ15
输入/数据I / O：任何读取操作过程中的数据输出引脚
写操作期间输出或数据输入引脚。 DQ8 - DQ15都没有
在字节模式下使用。
输出状态：显示ISM的状态。当配置
在水平模式，默认模式下，它充当一个RY / BY ＃引脚。
当在脉冲模式下配置，它可以素菜
表明程序和/或擦除完成。领带为STS
V
CC
Q通过一个上拉电阻。
（接下页）
STS
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
6
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