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4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
概述
概述
美光NAND闪存器件包括用于异步数据接口的高perform-
ANCE I / O操作。这些器件采用高复用8位总线（I /牛）来传输
命令，地址和数据。有用于实现5的控制信号
异步数据接口： CE ＃ ， CLE ， ALE ， WE＃和RE ＃ 。其他控制信号
硬件写保护和监视设备状态（ R / B＃ ） 。
这个硬件接口创建与重新一个标准的引脚的低引脚数器件
主电源由一个密度到另一个相同的，从而使未来升级到更高densi-
没有重新设计电路板的关系。
一个目标是内存芯片存取单元使能信号。将目标包含一个或
更多的NAND闪存裸片。一个NAND闪存芯片的最小单位，可以独立
执行命令并报告状态。一个NAND闪存芯片，在ONFI规格，是
称为一个逻辑单元（LUN ） 。有每个芯片中的至少一个NAND闪存芯片使能
信号。有关详细信息，请参阅设备和阵列组织。
该器件具有一个内置的4位ECC可以使用get / set方法的功能被激活。
参见内部的ECC和备用区映射ECC了解更多信息。
信号说明
表1：信号定义
信号
ALE
CE＃
CE#2
CLE
LOCK
TYPE
输入
输入
描述
地址锁存使能：
负载从I / O地址[ 7 ： 0 ]到地址寄存器中。
CHIP ENABLE ：
启用或禁用一个或多个管芯（逻辑单元号）的目标。
为16GB装置， CE ＃控制内存的第一个8G的; CE2 ＃控制第二的8Gb
的存储器。
命令锁存使能：
装载的命令从I / O [ 7 ： 0 ]到命令寄存器。
当LOCK是在上电期间HIGH时，块锁定功能。要禁用
块锁，锁连接到V
SS
在上电期间，或将其断开连接（内部
下拉） 。
读使能：
转移从NAND快闪存储器的串行数据发送到主机系统。
写使能：
转移命令，地址和串行数据从主机系统到
NAND闪存。
写保护：
启用或禁用阵列编程和擦除操作。
数据输入/输出：
双向I / O的传输地址，数据和命令Infor公司
息。
READY / BUSY ：
漏极开路，需要一个外部上拉电阻低电平有效输出。
这个信号表明目标阵列的活动。
为16GB的设备， R / B ＃表示内存的第一个8G的状态; R / B ＃表示
的存储器中的第二个的8Gb的状态。
V
CC
:
核心供电
V
SS
:
核心接地
无连接：
NC的内部不连接。它们可以驱动或悬空。
不要使用：
DNUs必须悬空。
1.请参阅设备和阵列组织进行详细的信号连接。
输入
输入
RE ＃
WE＃
WP ＃
I / O [ 7 ： 0 ] （ X8 ）
I / O [ 15 ： 0 ] （ X16 ）
R / B＃
R/B#2
输入
输入
输入
I / O
产量
V
CC
V
SS
NC
DNU
供应
供应
–
–
注意事项：
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
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