1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
掉电模式
图69 ：掉电
T1
CK ＃
CK
TCK
Valid1
NOP
tCKE （MIN） 2
CKE
TIH
tCKE （MIN） 2
TIS
地址
有效
tXP3 ， tXARD4
tXARDS5
DQS ， DQS ＃
有效
有效
TIH
总胆固醇
TCL
NOP
NOP
有效
有效
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
DQ
DM
进入
掉电
mode6
出口
掉电
模式
不在乎
注意事项：
1.如果该命令是一个预充电（或者，如果设备是已处于空闲状态），则
显示掉电模式预充电断电。如果该命令是一个ACTIVATE
（或者，如果所述至少一个行已经处于活动状态），则显示的省电模式被激活加电
下来。
2.
t
CKE的三个时钟（ MIN）表示CKE必须在连续三个积极注册
时钟边沿。 CKE必须保持在有效的输入电平才能实现的整个时间
三个时钟登记。因此，任何CKE过渡期后， CKE可能无法过渡
从过程的时间周期的有效电平
t
IS + 2 ×
t
CK +
t
IH 。 CKE不得过渡
在其
t
IS和
t
IH窗口。
3.
t
XP时间用于出口预充电断电和有源功率降低到任何非
读命令。
4.
t
XARD时间用于主动退出掉电为READ命令，如果快的出口是selec-
泰德经由MR（位12 = 0）。
5.
t
XARDS时间用于主动退出掉电为READ命令，如果缓慢的退出是selec-
泰德通过MR（位12 = 1） 。
6.无柱的访问被允许在当时掉电进步进入。如果
该DLL不是在锁定状态时， CKE去低，DLL必须经过复位
退出掉电模式进行适当的读操作。
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1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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