1GB : X4,X8 , X16 DDR2 SDRAM
掉电模式
图72 :写入到掉电或自动刷新进入
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK #
CK
命令
写
NOP
NOP
NOP
有效
有效
有效
NOP1
tCKE (MIN)
CKE
地址
A10
DQS , DQS #
DQ
WL = 3
DO
DO
DO
DO
Twtr
掉电或
自刷新取值范
数据转换
不在乎
有效
注意:
1,掉电或自动刷新进入了写突发完成后,可能会出现。
图73 :写带自动预充电到掉电或自动刷新进入
T0
T1
T2
T3
T4
T5
Ta0
Ta1
Ta2
CK #
CK
命令
写
NOP
NOP
NOP
有效
有效
Valid1
NOP
tCKE (MIN)
CKE
地址
A10
DQS , DQS #
DQ
WL = 3
DO
DO
DO
DO
WR2
掉电或
自刷新进入
表示在休息
时间尺度
数据转换
不在乎
有效
注意事项:
1.内部预充电发生在TA0时, WR已经完成;掉电条目可能的OC
CUR 1个
t
CK后来在TA1,前
t
RP被满足。
2. WR通过MR9 - MR11编程和代表(
t
WR [ MIN ] NS /
t
CK )围捕
到下一个整数
t
CK 。
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1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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