512MB ：梅格32 ×16 ， 16兆×32移动SDRAM
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图8：
电子病历的定义
BA1 BA0 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
地址总线
E14 E13 E12 E11 E10 E9
14
1
13 12
0
11 10
9
设置
“0”
E8
8
E7
7
E6
E5
E4
E3
E2
2
E1
E0
扩展模式
注册
6
5
DS
4
3
1
TCSR
0
1
PASR
E14 E13模式寄存器Definintion
0
标准
模式寄存器
0
1
版权所有
0
0扩展模式寄存器
1
1
版权所有
1
E6
0
0
1
1
E5
0
1
0
1
司机
实力
全强度
司机
半强度
司机
四分之一强度
司机
八分之一强
司机
E12 E11 E10 E9
0
–
0
–
0
–
0
–
E8
0
–
E7
0
–
正常工作
所有其他国家保留
E2
0
0
0
0
1
1
1
1
E1
0
0
1
1
0
0
1
1
E0偏阵
自
刷新
复盖
0全阵列
1个半阵
0
1
0
1
0
1
季阵列
版权所有
版权所有
八分之一阵
十六分之一阵列
版权所有
注意事项：
1.在模头温度传感器来代替TCSR的。将这些位不会有任何效果。
扩展模式寄存器必须通过E12设置为“0”被编程与E7的它
必须被加载时，所有银行都空闲并且没有脉冲串在进行中，并且所述控制器
必须等待指定的时间开始的任何后续操作之前。违反任一
这些要求导致不确定的操作。一旦这些值被输入时，该
即使退出深度掉电后扩展模式寄存器设置将被保留
模式。
温度补偿自刷新（ TCSR ）
在此版本的移动DDR的SDRAM，一个温度传感器被用于实现
自控自刷新振荡器。的TCSR位编程会
在设备上没有影响。自刷新振荡器将继续刷新出厂
编程的最佳速率的元件温度。
局部阵列自刷新（ PASR ）
对于在自刷新进一步节省功耗，局部阵列自刷新（ PASR ）功能
允许控制器在选择的存储器，将自期间被刷新的量
刷新。下面的刷新选项。
1.所有银行（存储体0 ，1，2 ，和3）。
2.两个库（库0和1; BA1 = 0）。
3.一家银行（银行0 ; BA1 = BA0 = 0 ） 。
4.半银行（银行0 ; BA1 = BA0 =行地址MSB = 0 ） 。
5.季度银行（银行0 ; BA1 = BA0 ;行地址MSB =行地址MSB - 1 = 0 ） 。
PDF ： 09005aef81ca5de4 /来源： 09005aef81ca5e03
MT48H32M16LF_1.fm - 牧师ħ 6/07 EN
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