512MB ：梅格32 ×16 ， 16兆×32移动SDRAM
COMMANDS
无操作（ NOP ）
在无操作（ NOP ）命令用于执行NOP到SDRAM是
选择（ CS ＃为低） 。这可以防止不必要的命令，从过程中被注册
空闲或等待状态。操作已在进行中不受影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 - A12 ， BA0和BA1加载。 （见"Mode Register"上
命令只能发出时，所有银行都闲着，随后的可执行文件
命令不能才会发出
t
MRD满足。
活跃
对ACTIVE命令用于在对一个特定的银行开（或激活）的行
随后的访问。在BA0 ， BA1输入的值选择银行和地址
提供选择行。该行仍处于活动状态（或打开）进行，直到访问
预充电命令发出的是银行。必须发出预充电命令
之前在同一银行开立不同的行。
读
READ命令用于启动一个突发的读访问活动行。该值
在BA0 ， BA1输入选择银行，并提供了地址选择出发
列位置。输入A10的值决定自动预充电是否是
使用。如果自动预充电选择，被访问的行会在年底进行预充电
的突发读取;如果自动预充电没有被选中，该行将保持开放之后，又
quent访问。读出的数据显示在的DQ受上DQM的逻辑电平
输入两个时钟更早。如果一个给定的DQM信号被注册高电平时，相应的
的DQ将高阻两个时钟周期后，如果DQM信号是LOW注册， DQS的意志
提供有效的数据。
写
WRITE命令用于启动突发写入访问活动行。值
在BA0 ， BA1输入选择银行，并提供了地址选择出发
列位置。输入A10的值决定自动预充电是否是
使用。如果自动预充电选择，被访问的行会在年底进行预充电
的写突发;如果自动预充电没有被选中，该行将保持开放之后，又
quent访问。上出现的DQ输入数据被写入到存储器阵列主题
与数据的DQM输入逻辑电平出现重合。如果一个给定的DQM信号是
注册低电平，对应的数据将被写入到存储器中;如果DQM信号
注册高电平时，相应的数据输入将被忽略，并且一写会不会
执行该字节/列位置。
预充电
在预充电命令用于取消特定银行的打开行或
开行的所有银行。该行（ S）将可在接下来的行访问的
指定时间（
t
RP ）预充电命令后发出。输入A10确定
是否有一个或所有银行都被预充电，并且在所述情况下，只有一个存储体是
预充电，输入BA0 ， BA1选择银行。否则BA0 ， BA1被视为
“不在乎。 ”一旦一家银行被预充电，因此处于闲置状态，且必须爱科特
正在发行的是银行氧基团之前的任何读或写命令。
PDF ： 09005aef81ca5de4 /来源： 09005aef81ca5e03
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