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MT4C1M16C3DJ-6 参数 Datasheet PDF下载

MT4C1M16C3DJ-6图片预览
型号: MT4C1M16C3DJ-6
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内容描述: FPM DRAM [FPM DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 465 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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1梅格×16
FPM DRAM
一般说明(续)
最后CAS #过渡回HIGH 。使用仅一个
这两个结果中的一个字节访问周期。 CASL #
转换低电平选择一个访问周期为低
字节( DQ0 - DQ7 )和现金#转换LOW SE-
脉冲编码的存取周期的高字节( DQ8 - DQ15 ) 。
每个比特通过20 AD-唯一寻址
在读或写周期打扮位。这些都是
进入10位( A0 - A9)的时间。 RAS#用来锁存
前十位, CAS #后10位。在CAS #
函数由第一CAS# ( CASL #决定或
现金# )转换到LOW和最后一个过渡
回HIGH 。在CAS #功能还确定
该循环是否将是一个刷新周期(RAS # - 只)
或主动循环(读,写,或读写)一次
RAS #变低。
在CASL #和#现金投入在内部产生
CAS #信号,其功能等同于一个单一的CAS #
输入其他的DRAM 。在关键的区别是,每个
CAS #输入( CASL #和现金# )控制其corre-
应的DQ三态逻辑(与OE #一起
和WE # ) 。 CASL #控制DQ0 - DQ7和现金# CON-
trols DQ8 - DQ15 。这两个CAS #对照产生了
1梅格×16 DRAM字节写周期的能力。
在WE #使然逻辑高电平阅读模式,而
逻辑低电平WE#使然写模式。在写
周期,数据(D)中由WE的下降沿锁存#
或CAS ,以先到为准最后。以WE# LOW会
启动写周期,选择DQ0 - DQ15 。如果我们#
变低之前CAS #变低,输出引脚(S )
保持开放(高阻) ,直到下一个CAS #循环。如果我们#
变低后CAS#变低,数据到达
输出管脚,数据输出(Q )被激活,并保留
只要CAS #和OE #保持低电平选中的单元格数据
(对WE#或RAS #不管) 。这晚WE#脉冲重
sults在读写周期。
16个数据输入和16个输出数据路由
通过16引脚使用通用I / O 。引脚方向
通过OE #和WE #控制。
功能框图
WE#
CASL #
CASH #
DQ0
16
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
10
CAS #
数据输入缓冲
DQ15
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
10
柱分离
地址
卜FF器
刷新
调节器
COLUMN
解码器
16
1,024
OE #
16
感测放大器
I / O选通
刷新
计数器
10
ROW
解码器
1,024 x 16
行向
地址
缓冲器( 10 )
10
1,024
1,024 x 1,024 x 16
内存
ARRAY
RAS #
第1时钟
发电机
V
DD
V
SS
1梅格×16 FPM DRAM
D51_5V_B.p65 - 版本B ;酒吧3/01
2
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