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MT4C1M16E5TG-5 参数 Datasheet PDF下载

MT4C1M16E5TG-5图片预览
型号: MT4C1M16E5TG-5
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内容描述: EDO DRAM [EDO DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 384 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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16MB : 1 MEG X16
EDO DRAM
AC电气特性(续)
(注:2 , 3 , 9 , 10 , 11 , 12 ;注释出现在10-11页) ; (V
CC
[分钟]
£
V
CC
£
V
CC
[MAX] )
AC特性
参数
OE #安装之前, RAS #
在隐藏刷新周期
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
从RAS #访问时间
RAS #到列地址的延迟时间
行地址保持时间
RAS #脉冲宽度
RAS #脉冲宽度( EDO页模式)
在自刷新RAS #脉冲宽度
随机读或写周期时间
RAS #到CAS #延迟时间
READ命令保持时间(参考CAS # )
READ命令设置时间
刷新周期( 1024次)
刷新周期(1,024次) S版
RAS #预充电时间
RAS #到CAS #预充电时间
RAS #预充电时间退出自刷新
READ命令保持时间(参考RAS # )
RAS #保持时间
读 - 写周期时间
RAS #到WE#延迟时间
写命令RAS #交货时间
转换时间(上升或下降)
写命令保持时间
写命令保持时间(参考RAS # )
WE#命令设置时间
我们从输出禁用延迟#
WRITE命令的脉冲宽度
WE#脉冲禁止在CAS #高
WE#保持时间( CBR刷新)
WE#建立时间( CBR刷新)
-5
符号
t
ORD
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
拉德
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RASS
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RPS
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WHZ
t
WP
t
WPZ
t
WRH
t
WRP
-6
最大
0
25
56
50
60
12
10
60
60
100
104
14
0
0
最大
单位备注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
31
31
19
21
0
20
47
9
9
50
50
100
84
11
0
0
10,000
125,000
10,000
125,000
22, 25
23, 27
25
16
128
30
5
90
0
13
116
67
13
2
8
38
0
0
5
10
8
8
40
5
105
0
15
140
79
15
2
10
45
0
0
5
10
10
10
16
128
23
32
13
50
50
32
13, 25
12
15
1梅格×16 EDO DRAM
D52_B.p65 - 版本B ;酒馆。 3/01
9
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