16MB ： 1 MEG X16
EDO DRAM
I
CC
工作条件和最高限额
（注： 1 ， 2 ， 3 ， 5 ， 8 ，注意事项出现在10-11页） ; （V
CC
[分钟]
£
V
CC
£
V
CC
[MAX] ）
参数/条件
（ RAS ＃ = CAS ＃ = V
IH
)
待机电流： CMOS （非“ S”版本）
（ RAS ＃ = CAS ＃ =其他输入= V
DD
- 0.2V)
待机电流： CMOS （仅限“S ”版）
（ RAS ＃ = CAS ＃ =其他输入= V
DD
- 0.2V)
工作电流：随机读/写
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
工作电流： EDO页模式
平均供电电流（ RAS ＃ = V
IL
， CAS＃ ，
针对循环：
t
PC =
t
PC [ MIN ] ）
刷新电流： RAS ＃ - 只
平均供电电流
（ RAS ＃循环， CAS＃ = V
IH
:
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流： CBR
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流：扩展（仅限“S ”版）
平均供电电流： CAS ＃ = 0.2V或CBR循环;
RAS ＃ =
t
RAS （ MIN ） ; WE＃ = V
DD
- 0.2V ; A0 - A10 ， OE ＃和
D
IN
= V
DD
- 0.2V或0.2V （D
IN
可以被保持开启） ;
t
RC = 125微秒
刷新电流： SELF （仅限“S ”版）
平均供电电流： CBR与RAS ＃
t
RASS （ MIN ）
和CAS ＃保持低电平; WE＃ = V
DD
- 0.2V ; A0 - A10 ，
OE ＃和D
IN
= V
DD
- 0.2V或0.2V （D
IN
可以被保持开启）
象征速度
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
2
I
CC
3
所有
所有
所有
-5
-6
-5
-6
-5
-6
-5
-6
所有
3.3V
1
500
150
180
170
140
130
180
170
180
170
300
5V
2
500
150
190
180
150
140
190
180
180
170
300
单位备注
mA
µA
µA
mA
6
I
CC
4
mA
6
I
CC
5
mA
I
CC
6
mA
7, 9
I
CC
7
µA
7, 9
I
CC
8
所有
300
300
µA
7, 9
1梅格×16 EDO DRAM
D52_B.p65 - 版本B ;酒馆。 3/01
7
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