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MT4LC16M4A7DJ-5 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC16M4A7DJ-5图片预览
型号: MT4LC16M4A7DJ-5
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 350 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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梅格16 ×4
FPM DRAM
笔记
1.所有电压参考V
SS
.
2.该参数进行采样。 V
CC
= + 3.3V ; F = 1
兆赫。
3. I
CC
依赖于输出负载和周期
率。指定的值与微型获得
妈妈循环时间和输出打开。
4.启用芯片刷新和地址计数器。
5.最小规格仅用于
显示循环时间在该正常运行
在整个温度范围内得到保证。
6.加电后,需要为100μs的初始暂停
最多,其次是8 RAS#刷新周期(RAS # -
ONLY或CBR与WE# HIGH ) ,才适当
设备的操作保证。八RAS #循环
唤醒,应重复任何时间
t
REF
刷新的要求超出。
7. AC特性假设
t
T为5ns的。
8. V
IH
(MIN)和V
IL
(MAX),是参考电平为
测量输入信号的定时。过渡
时代在V之间测量
IH
和V
IL
(或
V之间
IL
和V
IH
).
9.除了满足升学率
规范,所有输入信号必须中转
V之间
IH
和V
IL
(或V之间
IL
和V
IH
)在一
单调的方式。
10.如果CAS # = V
IH
,数据输出为高阻。
11.如果CAS # = V
IL
,数据输出可以含有数据
最后一个有效的读周期。
12.测得的负荷相当于两个TTL电
门,100pF电容和V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2V.
13.如果CAS#为低电平时的RAS#的下降沿,
输出数据将保持与前
周期。要开始一个新的循环,并清除数据 -
出缓冲器, CAS #必须高电
t
CP 。
14。
t
不再指定的RCD ( MAX)的限制。
t
RCD (MAX)中被指定为参考点
只。如果
t
RCD大于指定的
t
RCD
(MAX)的限度,则存取时间被控制
完全由
t
CAC (
t
RAC [ MIN ]不再
应用) 。具有或不具有
t
RCD的限制,
t
AA
t
CAC必须始终得到满足。
15。
t
不再指定的RAD ( MAX)的限制。
t
RAD (MAX)中被指定为参考点
只。如果
t
RAD大于指定的
t
拉德
(MAX)的限度,则存取时间被控制
完全由
t
AA (
t
RAC和
t
CAC不再
应用) 。具有或不具有
t
RAD ( MAX )的限制,
t
AA,
t
RAC和
t
CAC必须始终得到满足。
16.无论是
t
RCH或
t
RRH必须满足一个读
周期。
t
关( MAX )定义的时间,这时,输出
17.
实现了开路状态和不
参考V
OH
或V
OL
.
梅格16 ×4 FPM DRAM
D21_2.p65 - 修订版5/00
18.
t
WCS ,
t
RWD ,
t
AWD ,和
t
CWD不
限制性的操作参数。
t
WCS适用于
早期写周期。如果
t
WCS >
t
WCS (MIN),该
周期是一个早期写入周期和数据
输出将在整个保持开路
整个循环。
t
RWD ,
t
AWD ,和
t
CWD定义
读 - 修改 - 写周期。这些会议
限制允许读取和禁止输出
数据,然后将输入的数据。值
示出了计算,以供参考,允许
10ns的用于读取数据的外部闭锁和
应用程序写入数据。 OE #高高的,
经过CAS # WE#为低电平变为低电平导致
后写( OE # -controlled )周期。
t
WCS ,
t
RWD ,
t
CWD和
t
AWD是不适用的
后写入周期。
19.这些参数是参照CAS #领先
边缘初期写入周期和WE#龙头
缘晚写入或读取 - 修改 - 写入
周期。
20.如果OE #是永久接为低电平,后写入或
读 - 修改 - 写操作不
可能。
21.隐藏刷新,也可以之后进行
写周期。在这种情况下, WE# =低和OE #
= HIGH 。
22. RAS # - 只有REFRESH要求所有8,192行
该MT4LC16M4A7或所有4096行的的
MT4LC16M4T8刷新至少一次
64毫秒。 CBR刷新的任一设备要求
至少有4096个周期内完成所有的
64ms.
23. DQS的在读周期,一旦开放
t
OD或
t
OFF发生。如果CAS #变高之前OE #中,
的DQ将打开,无论OE #的状态。如果
CAS #保持低电平而OE #被拉高时,
的DQ将打开。如果OE #被带回LOW
( CAS #仍然偏低) , DQS的将提供
先前读出的数据。
24后写和读 - 修改 - 写周期
必须同时
t
OD和
t
OEH满足( OE #高
写周期),以确保在
输出缓冲器将成为写操作期间开放
周期。如果OE #是采取低背的同时CAS #
仍然很低, DQS的将继续开放。
25.列地址每一个周期更换一次。
26. V
IH
过冲: V
IH
(MAX) = V
CC
+ 2V的脉冲
宽度
为10ns ,脉冲宽度不能
超过三分之一的周期率。 V
IL
冲: V
IL
(MIN) = -2V的脉冲宽度
为10ns ,脉冲宽度不能大于
三分之一的周期率。
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