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MT4LC16M4A7DJ-5 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC16M4A7DJ-5图片预览
型号: MT4LC16M4A7DJ-5
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 350 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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梅格16 ×4
FPM DRAM
电容
(注:2)
参数
输入电容:地址引脚
输入电容: RAS # , CAS # , WE# , OE #
输入/输出电容: DQ
符号
C
I
1
C
I
2
C
IO
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC电气特性
(注:5, 6,7, 8,9, 10,11, 12), (Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
AC特性
参数
从列地址访问时间
列地址保持时间(参考RAS # )
列地址设置时间
行地址建立时间
列地址WE#延迟时间
从CAS #访问时间
列地址保持时间
CAS #脉冲宽度
CAS #低到时自刷新“无关”
CAS #保持时间( CBR刷新)
CAS在低Z #输出
CAS #预充电时间(快速页面模式)
从CAS#预充电时间访问
CAS #到# RAS预充电时间
CAS #保持时间
CAS #建立时间( CBR刷新)
CAS #为WE#延迟时间
写命令CAS #交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出禁用
输出使能时间
从WE#在OE #保持时间
读 - 修改 - 写周期
输出缓冲关断延迟
OE #安装程序之前, RAS #中
HIDDEN刷新周期
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS #访问时间
RAS #到列地址的延迟时间
-5
符号
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHD
t
CHR
t
CLZ
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
关闭
t
ORD
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
拉德
-6
最大
25
45
0
0
55
13
15
10
15
15
15
3
10
5
60
5
40
15
10
0
3
15
13
3
0
35
85
50
60
15
15
10,000
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
40
0
0
48
8
13
15
15
3
8
5
50
5
36
13
8
0
3
13
3
0
30
76
13
18
10,000
4
13
30
35
4
18
19
19
23, 24
20
24
17, 23
13
13
15
15
15
梅格16 ×4 FPM DRAM
D21_2.p65 - 修订版5/00
6
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