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MT4LC4M16F5 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC4M16F5图片预览
型号: MT4LC4M16F5
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 339 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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4梅格×16
FPM DRAM
电容
(注:2)
参数
输入电容:地址引脚
输入电容: RAS # , CAS # , WE# , OE #
输入/输出电容: DQ
符号
C
I
1
C
I
2
C
IO
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC电气特性
(注: 5,6, 7,8, 9,10, 11,12, 13), (Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
AC特性
参数
从列地址访问时间
列地址保持时间(参考RAS # )
列地址设置时间
行地址建立时间
列地址WE#延迟时间
从CAS #访问时间
列地址保持时间
CAS #脉冲宽度
CAS #保持时间( CBR刷新)
最后CAS#变低,首先CAS #返回高
CAS在低Z #输出
CAS #预充电时间(快速页面模式)
从CAS#预充电时间访问
CAS #到# RAS预充电时间
CAS #保持时间
CAS #建立时间( CBR刷新)
CAS #为WE#延迟时间
写命令CAS #交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出禁用
输出使能时间
从WE#在OE #保持时间
读 - 修改 - 写周期
输出缓冲关断延迟
OE #安装过程中隐藏刷新周期之前, RAS #
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS #访问时间
RAS #到列地址的延迟时间
行地址保持时间
-5
符号
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHR
t
CLCH
t
CLZ
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
关闭
t
ORD
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
拉德
t
RAH
-6
最大
25
45
0
0
55
13
15
10
15
15
5
3
10
5
60
5
40
15
10
0
3
15
13
3
0
35
85
15
10
15
10,000
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
40
0
0
48
8
13
15
5
3
8
5
50
5
36
13
8
0
3
13
3
0
30
76
13
8
26
18
28
26
32, 34
4, 27
29
26, 28
13, 32
27
27
27
4, 26
18, 26
28
19, 28
19, 28
23, 24, 36
20
24
17, 23, 28
30
30
15
10,000
30
35
13
13
15
15
50
60
4梅格×16 FPM DRAM
D28_2.p65 - 修订版5/00
6
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