MT4LC4M16F5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MT4LC4M16F5
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内容描述：	DRAM [DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	19 页 / 339 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

4梅格×16

FPM DRAM

DRAM刷新

供电电压必须保持在所述试样

田间的水平，并且刷新要求，必须在满足

命令保留在DRAM中存储的数据。刷新

要求通过刷新在所有行会见

每隔64ms的DRAM阵列至少一次。时建议

修补程序是执行4096 CBR刷新

周期，无论是均匀间隔或分组突发，

每64毫秒。该MT4LC4M16F5内部刷新

一行每CBR循环，使执行4096 CBR

周期涵盖的所有行。该CBR刷新将调用

自动RAS ＃寻址内部的刷新计数器

ING 。另外， RAS ＃ - 只有REFRESH能力

本质上提供的。但是，在该方法的一些

兼容性问题可能会变得明显。 JEDEC

强烈建议使用CBR刷新本

装置。

待机

返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止

存储器周期和减小芯片的电流，以减小

待机水平。芯片被预处理为下一

在RAS ＃高时间周期。

字写

RAS ＃

低字节写入

CASL ＃

CASH ＃

WE＃

低字节

(DQ0-DQ7)

作者： WORD

存储

数据

输入

数据

输入

数据

存储

数据

存储

数据

输入

数据

输入

数据

存储

数据

高字节

(DQ8-DQ15)

作者： WORD

地址0

地址1

X =无效（无关）

图1

WORD和字节写实例

4梅格×16 FPM DRAM

D28_2.p65 - 修订版5/00

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

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