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MT4LC8M8P4DJ-5 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC8M8P4DJ-5图片预览
型号: MT4LC8M8P4DJ-5
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 397 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8 MEG ×8
EDO DRAM
绝对最大额定值*
在V电压
CC
相对于V
SS
................ -1V至+ 4.6V
数控,输入或I / O引脚电压
相对于V
SS
....................................... -1V至+ 4.6V
工作温度,T
A
(环境) ... 0 ° C至+ 70°C
存储温度(塑料) ............ -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ... 1W
*应力大于“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性和操作条件
(注:1) (Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数/条件
电源电压
输入高电压:
有效的逻辑1 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入电压低:
有效的逻辑0 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入漏电流:
任何输入在V
IN
(0V
V
IN
V
CC
+ 0.3V);
所有其它引脚不被测= 0V
输出高电压:
I
OUT
= -2mA
输出低电压:
I
OUT
= 2毫安
输出漏电流:
在V任何输出
OUT
(0V
V
OUT
V
CC
+ 0.3V);
DQ被禁用,在高阻态
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
3
2
-0.3
-2
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
2
单位备注
V
V
V
µA
26
26
27
V
OH
V
OL
I
OZ
2.4
-5
0.4
5
V
V
µA
8梅格×8 EDO DRAM
D20_2.p65 - 修订版5/00
5
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